[发明专利]OLED基板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810490766.0 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN108695370B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 吴奕昊;辛燕霞;于名印;包征;李博;李雪萍 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 制作方法 显示装置 | ||
本发明实施例公开一种OLED基板及制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于解决OLED显示装置中的OLED色偏问题。所述OLED基板包括衬底基板,所述衬底基板的表面形成有图案化的金属走线,所述衬底基板未被所述金属走线覆盖的表面形成有平整度调整层;所述平整度调整层背向所述衬底基板的表面和所述金属走线背向所述衬底基板的表面形成有平坦化层,所述平坦化层背向所述衬底基板的表面形成有OLED阳极。所述金属走线和所述平整度调整层分别通过相同的掩膜版形成。本发明实施例提供的OLED基板用于AMOLED显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED基板及制作方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode,简称为AMOLED)面板因具有高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点,而被广泛应用于显示领域。
目前,在制作小尺寸的AMOLED面板的过程中,多采用精细金属光罩(Fine MetalMask,简称FFM)工艺来制作AMOLED面板中低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,简称LTPS)背板上的金属走线。但是,采用FFM工艺制作的AMOLED面板在长期使用后,该AMOLED面板显示的图像特别容易出现色偏现象,比如显示图像发红,导致AMOLED面板的显示效果不佳。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种OLED基板及制作方法、显示装置,以改善OLED显示装置的OLED色偏现象。
为了实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:
本发明实施例的第一方面提供一种OLED基板,包括衬底基板,衬底基板的表面形成有图案化的金属走线,衬底基板未被金属走线覆盖的表面形成有平整度调整层;平整度调整层背向衬底基板的表面和金属走线背向衬底基板的表面形成有平坦化层,平坦化层背向衬底基板的表面形成有OLED阳极。
本发明实施例提供的OLED基板,在衬底基板未被金属走线覆盖的表面设置平整度调整层,可以利用该平整度调整层对金属走线所在平面的平整度进行调整,以确保形成在平整度调整层背向衬底基板的表面和金属走线背向衬底基板的表面的平坦化层具有较高的平整度,进而确保形成在平坦化层背向衬底基板的表面的OLED阳极也具有较高的平整度,这也就是说,本发明实施例提供的OLED基板中的OLED阳极不会因其底部对应金属走线的存在而呈现出不平整状态,因此,OLED基板的各像素也就不会因其底部对应OLED阳极的不平整而出现像素出光亮度不均匀对称的问题,这样OLED基板的各像素在进行RGB混色以后,OLED基板也就不会因其中某一像素的像素出光亮度不均匀对称而产生OLED色偏。可见,本发明实施例提供的OLED基板,能够有效改善OLED基板所在OLED显示装置的OLED色偏,确保OLED装置的显示效果。
基于上述OLED基板,本发明实施例的第二方面提供一种OLED基板的制作方法,所述OLED基板的制作方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板的表面形成图案化的金属走线;在衬底基板未被金属走线覆盖的表面形成平整度调整层;在平整度调整层背向衬底基板的表面以及金属走线背向衬底基板的表面形成平坦化层;在平坦化层背向衬底基板的表面形成OLED阳极。本发明实施例提供的OLED基板的制作方法所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的OLED基板所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
基于上述OLED基板的技术方案,本发明实施例的第三方面提供一种显示装置,所述显示装置包括上述技术方案所提供的OLED基板。本发明实施例提供的显示装置所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的OLED基板所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解,构成本发明实施例的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的