[发明专利]OLED基板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810490766.0 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN108695370B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 吴奕昊;辛燕霞;于名印;包征;李博;李雪萍 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板的表面形成有图案化的金属走线,所述衬底基板未被所述金属走线覆盖的表面形成有平整度调整层;所述平整度调整层背向所述衬底基板的表面和所述金属走线背向所述衬底基板的表面形成有平坦化层,所述平坦化层背向所述衬底基板的表面形成有OLED阳极;
所述衬底基板包括柔性背板,以及依次层叠形成在所述柔性背板上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极和层间介质层;
所述金属走线形成在所述层间介质层背向所述栅极的表面;其中,一部分所述金属走线与栅极电连接,构成对应OLED像素补偿电路的信号线;
所述金属走线和所述平整度调整层分别通过相同的掩膜版形成;
所述平坦化层背向所述衬底基板的表面还形成有像素界定层,所述像素界定层与所述OLED阳极相对的区域设有像素孔;所述平整度调整层至少形成在所述像素孔正投影至所述衬底基板的正投影区域。
2.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,在所述像素孔正投影至所述衬底基板的正投影区域,所述平整度调整层背向所述衬底基板的表面,与对应接壤的所述金属走线背向所述衬底基板的表面平齐。
3.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,另一部分所述金属走线与有源层电连接,构成对应薄膜晶体管的源漏极,所述源漏极包括源极和漏极;所述OLED阳极与对应薄膜晶体管的漏极电连接。
4.一种OLED基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板,在所述衬底基板的表面形成图案化的金属走线;
在所述衬底基板未被所述金属走线覆盖的表面形成平整度调整层;
在所述平整度调整层背向所述衬底基板的表面以及所述金属走线背向所述衬底基板的表面形成平坦化层;
在所述平坦化层背向所述衬底基板的表面形成OLED阳极;
在所述平坦化层背向所述衬底基板的表面以及所述OLED阳极背向所述衬底基板的表面形成像素界定层;
在所述像素界定层与所述OLED阳极相对的区域形成像素孔;
所述在所述衬底基板未被所述金属走线覆盖的表面形成平整度调整层的步骤,还包括:至少在所述像素孔正投影至所述衬底基板的正投影区域,形成所述平整度调整层。
5.根据权利要求4所述的OLED基板的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的表面形成图案化的金属走线的步骤,包括:
在所述衬底基板的表面沉积金属层;
在所述金属层背向所述衬底基板的表面涂覆光刻胶,通过掩膜版对所述光刻胶进行曝光和显影;
刻蚀所述金属层,获得图案化的金属走线;
所述在所述衬底基板未被所述金属走线覆盖的表面形成平整度调整层的步骤,包括:
在所述衬底基板未被所述金属走线覆盖的表面以及所述金属走线背向所述衬底基板的表面沉积平整度调整介质;
在所述平整度调整介质背向所述衬底基板的表面涂覆光刻胶,通过与形成所述金属走线时相同的掩膜版,对所述光刻胶进行反向曝光和显影;
刻蚀所述平整度调整介质,获得所述平整度调整层。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-3任一项所述的OLED基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的