[发明专利]共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法

权利要求书

1.一种共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次层叠沉积的第一重掺杂InGaAs层、InP层、第一AlAs势垒层、InGaAs势阱层、第二AlAs势垒层和第二重掺杂InGaAs层；

在所述第二重掺杂InGaAs层上沉积金属图形，形成第二欧姆接触；

在所述金属图形以外的区域，先用可刻蚀InGaAs材料和AlAs材料、但不刻蚀InP材料的第一刻蚀液从所述第二重掺杂InGaAs层刻蚀至InP层，再用可刻蚀InP材料、但不刻蚀InGaAs材料和AlAs材料的第二刻蚀液刻蚀至所述第一重掺杂InGaAs层；

在经刻蚀处理后的所述第一重掺杂InGaAs层上沉积金属形成第一欧姆接触；

其中，所述第一刻蚀液为H₃PO₄、H₂O₂和H₂O组成的酸溶液，所述第二刻蚀液为HCl和H₃PO₄组成的酸溶液。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀液为H₃PO₄：H₂O₂：H₂O＝1：1：8-38的酸溶液。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀液为HCl：H₃PO₄＝1：1-4的酸溶液。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀液的刻蚀速度为100-400nm/min；和/或

所述第二刻蚀液的刻蚀速度为500-2500nm/min。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀液的刻蚀温度为20℃；和/或

所述第二刻蚀液的刻蚀温度为20℃。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述InP层为Si掺杂浓度为3×10¹⁸cm^-1～1×10¹⁹cm^-1的掺杂InP层。

7.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述InP层和所述第一AlAs势垒层之间还层叠沉积有第一轻掺杂InGaAs层和第一无掺杂InGaAs层，且所述第一无掺杂InGaAs层与所述第一AlAs势垒层相邻。

8.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二AlAs势垒层和所述第二重掺杂InGaAs层之间还层叠沉积有第二无掺杂InGaAs层和第二轻掺杂InGaAs层，且所述第二无掺杂InGaAs层与所述第二AlAs势垒层相邻。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述InP层和所述第一轻掺杂InGaAs层之间还沉积有InAlAs层，且所述第一刻蚀液还可刻蚀InAlAs材料。

10.如权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为InP衬底；和/或

所述金属包括Ti、Pd、Au中的至少一种。