[发明专利]接触结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

由位于侧壁材料之间的导电材料构成的有源栅极结构；

位于所述侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料与所述侧壁材料的材料不同；以及

与所述有源栅极结构中的所述导电材料电接触的接触结构，所述接触结构位于所述侧壁材料之间和所述上侧壁材料之间,

其中所述上侧壁材料将用于所述有源栅极结构的所述接触结构与所述有源栅极结构的源极/漏极区域的接触结构分隔开,

其中所述源极/漏极区域的所述接触结构的下部位于所述侧壁材料之间，并且所述源极/漏极区域的所述接触结构的上部位于所述上部侧壁材料之间并直接接触所述上侧壁材料的整个侧表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述侧壁材料是低k电介质材料，并且所述上侧壁材料具有不同于所述低k电介质材料的蚀刻选择性。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述上侧壁材料是高k电介质材料。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述上侧壁材料是金属氧化物材料。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述源极/漏极区域的所述接触结构通过所述上侧壁材料与所述有源栅极结构的所述导电材料分隔开。

6.根据权利要求5所述的结构，其中所述上侧壁材料被定位和构造成防止所述源极/漏极区域的所述接触结构与所述有源栅极结构中的所述导电材料之间短路。

7.一种半导体结构，包括：

形成在衬底上的下侧壁材料；

位于所述下侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料具有不同于所述下侧壁材料的蚀刻选择性；

位于所述下侧壁材料之间的有源栅极结构；以及

与所述有源栅极结构电接触的接触结构，所述接触结构从所述上侧壁材料之间延伸并到所述上侧壁材料上方的层间电介质材料中，

其中所述上侧壁材料将用于所述有源栅极结构的所述接触结构与所述有源栅极结构的源极/漏极区域的接触结构分隔开，

所述源极/漏极区域的所述接触结构的下部位于所述下侧壁材料之间，并且所述源极/漏极区域的所述接触结构的上部位于所述上侧壁材料之间，直接接触所述上侧壁材料的整个侧表面并且延伸到所述层间电介质材料中；以及

所述源极/漏极区域的所述接触结构通过所述上侧壁材料与所述有源栅极结构分隔开。

8.根据权利要求7所述的结构，其中所述下侧壁材料是低k电介质材料并且所述上侧壁材料是高k电介质材料。

9.根据权利要求7所述的结构，其中所述下侧壁材料是低k电介质材料并且所述上侧壁材料是金属氧化物材料。

10.根据权利要求7所述的结构，其中所述上侧壁材料被定位并构造成防止所述源极/漏极区域的所述接触结构与所述有源栅极结构之间的短路。

11.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底上形成栅极结构；

形成与所述栅极结构邻近的接触材料；

使所述接触材料凹陷以形成凹腔；

在所述凹腔的侧壁上形成隔离物；

在所述隔离物之上用电介质材料填充凹腔；

平坦化所述电介质材料；

去除所述电介质材料以形成在所述栅极结构的源极/漏极区域之上的第一腔和所述栅极结构之上的第二腔；以及

沉积导电材料以在所述凹腔和所述第一腔中形成所述源极/漏极区域的接触结构和在所述第二腔中形成所述栅极结构的接触结构，

其中，所述隔离物将用于所述栅极结构的所述接触结构与所述源极/漏极区域的所述接触结构分隔开，

其中，所述源极/漏极区域的所述接触结构的上部位于所述隔离物之间，直接接触所述隔离物的整个侧表面并且延伸到所述电介质材料中。