[发明专利]沟槽结构的形成方法、沟槽结构及存储器

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沟槽结构的形成方法、沟槽结构及存储器。所述沟槽结构的形成方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内形成有初始刻蚀结构；进行至少一次循环步骤，所述循环步骤包括：沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的侧壁表面；刻蚀所述初始刻蚀结构底部的衬底，形成子刻蚀结构；去除所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜，所述子刻蚀结构和所述初始刻蚀结构共同作为进行下一次循环步骤的初始刻蚀结构。本发明改善了具有高深宽比的沟槽结构的形貌，提高了存储器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沟槽结构的形成方法、沟槽结构及存储器。

背景技术

闪存是一种非易失性的存储器，是电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛的应用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，并占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额。

如今，经历了平面型闪存存储器的发展时期，已进入了三维闪存存储器的发展热潮，其主要特色是将平面结构转换为立体结构。在立体结构的存储器中，要实现了数据存储的控制，需要通过刻蚀形成具有竖直形貌及高深宽比的深孔、深槽来作为三维存储器的沟道孔、沟道槽。但是，现有的形成具有高深宽比的孔的方法形成的孔的形貌较差，严重影响了存储器的性能。

发明内容

本发明提供一种沟槽结构的形成方法、沟槽结构及存储器，用以解决现有的方法形成的具有高深宽比的沟槽结构形貌较差的问题，以改善存储器的性能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种沟槽结构的形成方法，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底内形成有初始刻蚀结构；

进行至少一次循环步骤，所述循环步骤包括：

沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的侧壁表面；

刻蚀所述初始刻蚀结构底部的衬底，形成子刻蚀结构；

去除所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜，所述子刻蚀结构和所述初始刻蚀结构共同作为进行下一次循环步骤的初始刻蚀结构。

优选的，沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的侧壁表面的具体步骤包括：

沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的表面；

刻蚀所述保护膜，去除所述初始刻蚀结构底部表面的保护膜并保留所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜。

优选的，采用第一干法刻蚀工艺对所述保护膜进行刻蚀，且第一干法刻蚀工艺对所述保护膜的刻蚀速率大于对所述衬底的刻蚀速率。

优选的，所述保护膜为氧化铝膜。

优选的，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀所述初始刻蚀结构底部的衬底，且所述第二干法刻蚀工艺对所述衬底的刻蚀速率大于对所述保护膜的刻蚀速率。

优选的，采用湿法刻蚀工艺去除所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜。

优选的，所述初始刻蚀结构侧壁表面沉积的保护膜厚度为1nm～5nm。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种沟槽结构，包括：

衬底，具有一初始刻蚀结构；

至少一子刻蚀结构，所述子刻蚀结构是对所述初始刻蚀结构底部的衬底进行刻蚀形成的；

所述初始刻蚀结构与所述子刻蚀结构的连接处具有一台阶，用于在刻蚀形成所述子刻蚀结构之前在所述初始刻蚀结构侧壁表面沉积保护膜。