[发明专利]沟槽结构的形成方法、沟槽结构及存储器

权利要求书

1.一种沟槽结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底内形成有初始刻蚀结构；

进行至少一次循环步骤，所述循环步骤包括：

沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的侧壁表面；

刻蚀所述初始刻蚀结构底部的衬底，形成子刻蚀结构；

去除所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜，所述子刻蚀结构和所述初始刻蚀结构共同作为进行下一次循环步骤的初始刻蚀结构。

2.根据权利要求1所述的沟槽结构的形成方法，其特征在于，沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的侧壁表面的具体步骤包括：

沉积保护膜于所述初始刻蚀结构的表面；

刻蚀所述保护膜，去除所述初始刻蚀结构底部表面的保护膜并保留所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜。

3.根据权利要求2所述的沟槽结构的形成方法，其特征在于，采用第一干法刻蚀工艺对所述保护膜进行刻蚀，且第一干法刻蚀工艺对所述保护膜的刻蚀速率大于对所述衬底的刻蚀速率。

4.根据权利要求3所述的沟槽结构的形成方法，其特征在于，所述保护膜为氧化铝膜。

5.根据权利要求3所述的沟槽结构的形成方法，其特征在于，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀所述初始刻蚀结构底部的衬底，且所述第二干法刻蚀工艺对所述衬底的刻蚀速率大于对所述保护膜的刻蚀速率。

6.根据权利要求1所述的沟槽结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述初始刻蚀结构侧壁表面的保护膜。

7.根据权利要求1所述的沟槽结构的形成方法，其特征在于，所述初始刻蚀结构侧壁表面沉积的保护膜厚度为1nm～5nm。

8.一种沟槽结构，其特征在于，包括：

衬底，具有一初始刻蚀结构；

至少一子刻蚀结构，所述子刻蚀结构是对所述初始刻蚀结构底部的衬底进行刻蚀形成的；

所述初始刻蚀结构与所述子刻蚀结构的连接处具有一台阶，用于在刻蚀形成所述子刻蚀结构之前在所述初始刻蚀结构侧壁表面沉积保护膜。

9.根据权利要求8所述的沟槽结构，其特征在于，至少一子刻蚀结构包括沿所述衬底的纵向由上至下排列的多个子刻蚀结构，位于下方的子刻蚀结构是对与其相邻的上方子刻蚀结构底部的衬底进行刻蚀形成的；相邻两刻蚀结构的连接处具有一台阶，用于在刻蚀形成下方的子刻蚀结构之前在上方的子刻蚀结构侧壁表面沉积保护膜。

10.根据权利要求8所述的沟槽结构，其特征在于，所述子刻蚀结构的深宽比范围为(8:1)～(15:1)。

11.一种存储器，其特征在于，包括沟槽结构；所述沟槽结构，包括：

衬底，具有一初始刻蚀结构；

至少一子刻蚀结构，所述子刻蚀结构是对所述初始刻蚀结构底部的衬底进行刻蚀形成的；

所述初始刻蚀结构与所述子刻蚀结构的连接处具有一台阶，用于在刻蚀形成所述子刻蚀结构之前在所述初始刻蚀结构侧壁表面沉积保护膜。

12.根据权利要11所述的存储器，其特征在于，至少一子刻蚀结构包括沿所述衬底的纵向由上至下排列的多个子刻蚀结构，位于下方的子刻蚀结构是对与其相邻的上方子刻蚀结构底部的衬底进行刻蚀形成的；相邻两刻蚀结构的连接处具有一台阶，用于在刻蚀形成下方的子刻蚀结构之前在上方的子刻蚀结构侧壁表面沉积保护膜。

13.根据权利要11所述的存储器，其特征在于，所述子刻蚀结构的深宽比范围为(8:1)～(15:1)。