[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，以避免刻蚀液损伤有源层，优化薄膜晶体管特性。阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板之上的栅极以及与栅极连接的栅线；位于栅极和栅线远离衬底基板一侧的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层远离栅极一侧的有源层；位于有源层远离栅极绝缘层一侧且覆盖基板的覆盖层，覆盖层包括金属导电部分和透明绝缘金属氧化物部分，金属导电部分和透明绝缘金属氧化物部分的金属元素相同，金属导电部分包括相对设置且分别与有源层连接的源极和漏极，以及与源极连接的数据线。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)在当前的平板显示器市场占据了主导地位。在TFT-LCD的生产工艺中，阵列工序主要是用来制作TFT基板及彩色滤光片。

现有技术中的阵列基板制作工艺主要工序为：玻璃基板清洗→镀膜→清洗→光刻胶涂附→曝光→显影→刻蚀→光刻胶剥离→清洗→检查。镀膜分金属膜和非金属膜，金属膜采用物理气相淀积的方式成膜，又叫溅射；非金属膜采用化学气相淀积法成膜。光刻胶涂附指将光刻胶均匀涂附到玻璃基板表面的工序。曝光就是要将掩模板上的图形转移到涂附好光刻胶的玻璃基板上，精度要求极高。显影就是将曝光后感光部分的光刻胶溶解并去除，留下未感光部分的光刻胶，从而形成图形，光刻胶有正胶、负胶，负胶就是感光了的光刻胶留下。经过显影留下来的光刻胶成了保护掩模板，未被保护的薄膜将通过刻蚀工艺去除。光刻胶的剥离是指将刻蚀完成后的光刻胶去除。

可以看出，在现有技术阵列基板的制作工艺中，有刻蚀这一工序，而在TFT的刻蚀工艺中，背沟道刻蚀由于制程简单经常被采用。目前TFT的制作大都采用具有高载流子迁移率的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓锌)做有源层。但是当用IGZO做有源层时，若采用背沟道刻蚀形成源极和漏极时，刻蚀液会不可避免的对已形成的IGZO有源层造成损伤，从而严重影响到TFT的特性。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，以避免刻蚀液损伤有源层，优化TFT特性。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板之上的栅极以及与所述栅极连接的栅线；

位于所述栅极和所述栅线远离所述衬底基板一侧的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层远离所述栅极一侧的有源层；

位于所述有源层远离所述栅极绝缘层一侧且覆盖所述基板的覆盖层，所述覆盖层包括金属导电部分和透明绝缘金属氧化物部分，所述金属导电部分和所述透明绝缘金属氧化物部分的金属元素相同，所述金属导电部分包括相对设置且分别与所述有源层连接的源极和漏极，以及与所述源极连接的数据线。

采用本发明上述实施例的技术方案，源极、漏极和数据线不需要通过刻蚀工艺形成图案，并且有源层沟道区上方被透明绝缘金属氧化物覆盖，从而避免了现有技术刻蚀工艺中刻蚀液对有源层造成的损伤，优化了TFT的特性。

可选的，所述金属为Hf，所述透明绝缘金属氧化物为HfO₂。

可选的，所述金属为Ta，所述透明绝缘金属氧化物为Ta₂O₅。

可选的，所述有源层材质为金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体包括氧化铟镓锌IGZO、氧化锌ZnO或氮氧化锌ZnON。