[发明专利]气体供给装置、其控制方法、装载站、半导体制造装置

说明书

本发明提供能够可靠地向对象容器的内部供给预定的气体而将对象容器的内部置换为预定的气体的气体供给装置、其控制方法、及具备该气体供给装置的装载站以及半导体制造装置。本发明的气体导入装置即吹扫单元的特征在于，包括：外壳，为了将FOUP的内部置换为预定的气体，该外壳能使该气体通过；喷嘴，其密合于在FOUP的一个面设置的口的附近，并且该喷嘴为了使口开放而按压该口；动作调整空间，为了使喷嘴在能经由口向对象容器内喷射预定的气体的使用姿势与不能经由口向对象容器内喷射预定的气体的待机姿势之间进行动作，该动作调整空间扩大、缩小；以及气体导入部，其通过使气体相对于动作调整空间进行出入来控制喷嘴的动作。

技术领域

本发明涉及用于向具有对象空间的对象容器供给预定的气体的气体供给装置、气体供给装置的控制方法、装载站以及半导体制造装置。

背景技术

以往，在半导体的制造工序中，为了提高成品率、品质，在无尘室内进行晶圆的处理。近年来，用于使FOUP内的晶圆在高清洁的环境中输送·保管晶圆的对象容器即被称作FOUP(Front-Opening Unified Pod)的容纳用容器和半导体制造装置之间出入并且用于使FOUP内的晶圆在该容纳容器与输送装置之间进行FOUP的交接的接口部的装置即装载站(Load Port)被作为用于仅针对晶圆周围的局部空间进一步提高清洁度的重要的装置来使用。

然而，半导体制造装置内虽维持在适合晶圆的处理或者加工的预定的气体气氛，但在从FOUP内向半导体制造装置内送出晶圆时，FOUP的内部空间和半导体制造装置的内部空间会相互连通。因而，当FOUP内的环境的清洁度低于半导体制造装置内的清洁度时，FOUP内的气体就会进入到半导体制造装置内，而可能对半导体制造装置内的气体气氛产生不良影响。

作为用于应对这种问题的技术，在以往，公开了一种具有吹扫装置的装载站，在将收纳有晶圆的FOUP载置于装载站的载置台的状态下，该吹扫装置从FOUP的底面侧向内部注入预定的气体(例如氮、非活性气体等)并使其充满，从而将FOUP内置换为预定的气体气氛。这种从FOUP的底面侧向FOUP内注入氮、干燥空气等预定的气体而将FOUP内置换为预定的气体气氛的、所谓的底部吹扫方式与前部吹扫方式的吹扫装置相比较，具有预定的气体气氛的极限浓度较高这样的优点。

而且，在专利文献1中公开了一种具有吹扫装置的装载站，该吹扫装置构成为为了向FOUP内吹入预定的气体(例如氮、非活性气体等)，利用除了预定的气体之外的气体(压缩空气等)操作设于对象容器即FOUP的阀。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－88500号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，以往的吹扫装置是这样的构造：为了开放FOUP的开口部，通过利用预定的气体的压力来操作设于对象容器即FOUP的阀，因此，因预定的气体的压力不同，每单位时间的供给量会产生偏差，其结果，在预定的作业时间内将FOUP内维持在较高的预定气体气氛浓度是困难的，存在预定的气体气氛的极限浓度较低这样的缺点。

本发明即是着眼于这一点而完成的，主要的目的在于提供能够以更高的效率将上述FOUP即对象容器的内部置换为预定的气体的气体供给装置、及具备该气体供给装置的吹扫装置以及装载站。

用于解决问题的方案

本发明鉴于以上的问题点，采取了以下的手段。