[发明专利]气体供给装置、其控制方法、装载站、半导体制造装置在审
申请号: | 201810403438.2 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN108807225A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 谷山育志;森鼻俊光 | 申请(专利权)人: | 昕芙旎雅有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对象容器 喷嘴 气体供给装置 动作调整 半导体制造装置 装载站 喷射 置换 按压 气体导入装置 气体导入部 吹扫单元 待机姿势 空间扩大 气体通过 密合 姿势 开放 | ||
1.一种气体供给装置,其特征在于,
该气体供给装置包括:
外壳构造部,为了向对象容器的内部供给预定的气体,该外壳构造部能使该气体通过;
喷嘴构造部,其具有喷嘴部和按压部,该喷嘴部与设于所述对象容器的一个面且在内部具有开闭机构的口部接触,该按压部用于使开闭机构开放;以及
动作调整空间,为了使所述喷嘴构造部在能经由所述口部向所述对象容器内供给所述预定的气体的使用姿势和不能经由所述口部向所述对象容器内供给所述预定的气体的待机姿势之间进行动作,该动作调整空间扩大、缩小。
2.根据权利要求1所述的气体供给装置,其中,
所述喷嘴部通过密合于在所述对象容器的一个面设置的所述口部的外缘来防止所述对象容器内的气体向外部流出,
所述按压部具有用于按压所述开闭机构的按压面和用于朝向所述对象容器内喷射所述预定的气体的喷射部。
3.根据权利要求2所述的气体供给装置,其中,
所述动作调整空间具有:
第一动作调整空间,其设于所述外壳构造部和所述喷嘴部之间,为了使所述喷嘴部在使所述喷嘴部密合于所述口部的外缘的密合姿势与使所述喷嘴部和所述口部自该密合姿势分开的分开姿势之间进行动作,该第一动作调整空间扩大、缩小;以及
第二动作调整空间,其设于所述喷嘴部和所述按压部之间,为了使所述按压部在通过与所述口部分开而将所述口部封闭的封闭姿势与通过按压所述口部而使该口开放的开放姿势之间进行动作,该第二动作调整空间扩大、缩小。
4.一种气体供给装置的控制方法,该气体供给装置包括:
外壳构造部,为了将对象容器的内部置换为预定的气体,该外壳构造部能使该气体通过;
喷嘴部,其用于通过密合于在所述对象容器的一个面设置的口部的外缘来防止所述对象容器内的气体向外部流出;
按压部,其具有用于按压所述口部的按压面和用于朝向所述对象容器内喷射所述预定的气体的喷射部;
第一动作调整空间,其设于所述外壳构造部和所述喷嘴部之间,为了使所述喷嘴部在使所述喷嘴部密合于所述口部的外缘的密合姿势与使所述喷嘴部和所述口部自该密合姿势分开的分开姿势之间进行动作,该第一动作调整空间扩大、缩小;以及
第二动作调整空间,其设于所述喷嘴部和所述按压部之间,为了使所述按压部在通过与所述口部分开而将所述口部封闭的封闭姿势与通过按压所述口部而使该口部开放的开放姿势之间进行动作,该第二动作调整空间扩大、缩小,该控制方法的特征在于,
通过使控制用气体相对于所述第一动作调整空间和所述第二动作调整空间进行出入来控制所述喷嘴部和所述按压部的动作。
5.根据权利要求4所述的气体供给装置,其中,
所述控制用气体直接相对于所述第一动作调整空间进行出入,通过还具备将所述第一动作调整空间和所述第二动作调整空间连通的连通通路,从而也能使所述第二动作调整空间扩大、缩小。
6.根据权利要求5所述的气体供给装置,其中,
所述连通通路构成为,在使所述喷嘴部向密合于所述口部的外缘的所述密合姿势进行了动作之后使所述按压部向所述开放姿势进行动作。
7.一种装载站,其特征在于,
该装载站具备多个权利要求1~3中任一项所述的气体供给装置,构成为在使所述气体供给装置的所述按压部连通于在所述对象容器的底面设置的多个所述口部的状态下能够将所述对象容器内的气体气氛置换为氮或干燥空气。
8.一种半导体制造装置,其特征在于,
该半导体制造装置在无尘室内与权利要求7所述的装载站相邻地设置,接受输送来的吹扫对象容器即FOUP,使容纳于该FOUP内的晶圆经由形成在FOUP的前表面的搬出搬入口在该半导体制造装置与该FOUP内之间进行出入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造