[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201810388018.1 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108649035B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管层 薄膜晶体管 显示面板 基板 走线 信号线 制作 非显示区 信号线电 减小 | ||
一种显示面板,其包括:基板;薄膜晶体管层,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的信号线,所述信号线用于向所述薄膜晶体管提供信号;多条走线,设置于所述基板和所述薄膜晶体管层之间,每一所述走线与所述信号线电连接。本发明还公开一种该显示面板的制作方法。本发明通过将走线制作在显示区内,从而可以有效减小边缘非显示区的宽度。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体地讲,涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
目前,全面屏显示越来越成为趋势,为了适应这种趋势,各家显示厂商采取了各种设计来减小边缘无显示区域的宽度,GOA等各种技术的出现有效地减少了边缘宽度,极大地丰富了窄边框设计的需求。
图1是现有的一种显示走线方式的示意图。如图1所示,显示区AA中的数据线(Data线)、电压传输线(Vint线)、扫描线(Gate线)等线路201引出,通过边缘非显示区NA中的走线101而连通到绑定区,这样就造成边缘非显示区NA较宽,表现为非显示边框宽。尤其是遇到高分辨显示时,边缘非显示区NA中的走线101就会更加密集,而边缘非显示区NA的宽度也会更加宽。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种能够减小边缘非显示区宽度的显示面板及其制作方法。
根据本发明的一方面,提供了一种显示面板,其包括:基板;薄膜晶体管层,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的信号线,所述信号线用于向所述薄膜晶体管提供信号;多条走线,设置于所述基板和所述薄膜晶体管层之间,每一所述走线与所述信号线电连接。
进一步地,所述显示面板还包括设置在所述基板和所述薄膜晶体管层之间的绝缘层,所述绝缘层上设有过孔,每一所述走线通过所述过孔与所述信号线电连接。
进一步地,所述显示面板包括显示区和绑定区,所述过孔包括位于显示区的第一过孔和位于所述绑定区的第二过孔,每一所述走线通过所述第一过孔与所述信号线连接,并经所述第二过孔与所述绑定区的绑定垫连接。
进一步地,所述第一过孔位于所述显示区的边缘。
进一步地,在上述显示面板中,所述走线正对于所述薄膜晶体管层上的区域避开所述薄膜晶体管的沟道区。
进一步地,所述信号线包括扫描线、数据线和电压传输线中的至少一种。
根据本发明的另一方面,还提供了一种显示面板的制作方法,其包括:在基板上制作形成多条走线;在所述多条走线上制作形成具有过孔的绝缘层;在所述绝缘层上制作形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接且向所述薄膜晶体管提供信号的信号线,每一所述走线通过所述过孔与所述信号线电连接。
进一步地,所述显示面板包括显示区和绑定区,所述在基板上制作形成多条走线的方法包括:在基板上制作形成位于所述显示区和所述绑定区的多条走线。
进一步地,在所述多条走线上制作形成具有过孔的绝缘层的方法包括:在所述多条走线上制作具有位于所述显示区的第一过孔和位于所述绑定区的第二过孔的绝缘层;其中,每一所述走线通过所述第一过孔与所述信号线连接,并通过所述第二过孔与所述绑定区的绑定垫连接。
进一步地,在上述制作方法中,所述走线正对于所述薄膜晶体管层上的区域避开所述薄膜晶体管的沟道区。
本发明的有益效果:本发明通过将走线设置于显示区内,可以有效减小边缘非显示区的宽度,甚至实现零边缘非显示区的设计。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是现有的一种显示走线方式的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的