[发明专利]具有高透光度及低电阻特性的透明电极及其制造方法

权利要求书

1.具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其依次包括：

(a)利用电喷射法在基板上喷射聚乙烯吡咯烷酮而在所述基板上形成聚乙烯吡咯烷酮纤维的阶段；

(b)对所述聚乙烯吡咯烷酮纤维进行热处理的阶段；

(c)对所述热处理的聚乙烯吡咯烷酮纤维进行紫外线(UV)处理的阶段；

(d)在所述紫外线处理的聚乙烯吡咯烷酮纤维上形成金属层的阶段；及

(e)除去所述聚乙烯吡咯烷酮纤维而形成包含纳米纤维的透明电极的阶段，

其中对所述聚乙烯吡咯烷酮纤维进行热处理的阶段在玻璃转变(glass transition)温度施行30分钟～3小时，

其中对所述热处理的聚乙烯吡咯烷酮纤维进行紫外线(UV)处理的阶段将具有150nm～370nm的波长的紫外线以1kw～25kw的强度照射10秒钟～5分钟，且

其中所述金属层的厚度是50nm～1μm。

2.根据权利要求1所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中对所述热处理的聚乙烯吡咯烷酮纤维进行紫外线(UV)处理的阶段同时施行臭氧(O₃)处理。

3.根据权利要求1所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中在所述基板上形成聚乙烯吡咯烷酮纤维的阶段通过向所述基板施加负(-)电压而施行。

4.根据权利要求3所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中所述负(-)电压是-1KV～-10KV的范围的直流电压或交流电压。

5.根据权利要求1所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中所述透明电极的透光度是80％以上，薄膜电阻是100Ω/sq以下。

6.根据权利要求1所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中所述聚乙烯吡咯烷酮纤维的直径是100nm～1μm。

7.根据权利要求1所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中所述基板是无支撑(free standing)基板。

8.根据权利要求1所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法，其中所述金属层包含选自下列的至少一种：银(Ag)，铜(Cu)，铂(Pt)，金(Au)，钴(Co)，钪(Sc)，钛(Ti)，铬(Cr)，锰(Mn)，铁(Fe)，镍(Ni)，铜(Cu)，锌(Zn)，钇(Y)，锆(Zr)，铝(Al)，铌(Nb)，钼(Mo)，锝(Tc)，钌(Ru)，铑(Rh)，钯(Pd)，镉(Cd)，铪(Hf)，钽(Ta)，钨(W)，铼(Re)，锇(Os)及铱(Ir)。

9.具有高透光度及低电阻特性的透明电极，其由根据权利要求1～8之任一项所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极的制造方法制造，

其中中空结构的纳米纤维排列为具有网格(mesh)形状或网络(web)形状。

10.根据权利要求9所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极，其中所述透明电极的透光度是80％以上。

11.根据权利要求9所述的具有高透光度及低电阻特性的透明电极，其中所述透明电极的薄膜电阻是100Ω/sq以下。