[发明专利]制造半导体显示装置的方法

说明书

本发明公开一种制造半导体显示装置的方法，包含：提供半导体基板；在半导体基板上形成第一光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构的第二光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构及第二光致抗蚀剂结构的第三光致抗蚀剂结构；进行第一回蚀刻制作工艺以去除第三光致抗蚀剂结构的位于第二光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第一部分；以及进行第二回蚀刻制作工艺以去除第二光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的部分及第三光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第二部分。

技术领域

本发明涉及一种半导体显示装置，且特别是涉及一种制造半导体显示装置的方法。

背景技术

半导体显示装置，例如硅基液晶显示装置(liquid crystal on silicon；LCoS)，涉及到典型的液晶显示面板和互补式金属氧化物半导体场效晶体管(complementarymetal oxide silicon；CMOS)硅晶片制作工艺等技术，且其可达到高分辨率、高色彩饱和度(color resolution)和准确度，且可通过半导体制作工艺来生产。因为此些优点，硅基液晶显示设备应用在例如微型投影机(micro-projector)、监视器或头戴式显示器(headmounted display)等电子设备中。

举例而言，硅基液晶显示装置的其中一个种类为彩色滤光硅基液晶显示装置。在此彩色滤光硅基液晶显示装置中，彩色滤光器形成在半导体基板上。然而，因为彩色滤光器的区段(即红色、绿色和蓝色光致抗蚀剂)依序形成在半导体基板上，其通常造成辉纹(striation)缺陷和不均匀问题等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制造半导体显示装置的方法。在此方法中，不同高度的光致抗蚀剂结构依序形成，且使用数次回蚀刻制作工艺来回蚀刻堆叠光致抗蚀剂结构，以去除第一至第三光致抗蚀剂结构的辉纹(striation)缺陷且提供光致抗蚀剂结构的高均匀度，提升影像显示的正确性和品质。

根据本发明的上述目的，提出一种制造半导体显示装置的方法，此方法包含：提供半导体基板；在半导体基板上形成第一光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构的第二光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构及第二光致抗蚀剂结构的第三光致抗蚀剂结构；进行第一回蚀刻制作工艺以去除第三光致抗蚀剂结构的位于第二光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第一部分；以及进行第二回蚀刻制作工艺以去除第二光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的部分及第三光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第二部分。

依据本发明的一实施例，上述半导体基板是由硅、锗、镓、砷或上述组合形成。

依据本发明的又一实施例，上述第一光致抗蚀剂结构图案化为具有连续布局图案。

依据本发明的又一实施例，上述第一光致抗蚀剂结构图案化为具有阶梯状的连续布局图案。

依据本发明的又一实施例，在上述第二回蚀刻制作工艺后，上述第二光致抗蚀剂结构具有阶梯状的连续布局图案。

依据本发明的又一实施例，在上述第一回蚀刻制作工艺后，上述第三光致抗蚀剂结构具有阶梯状的连续布局图案。

依据本发明的又一实施例，上述第一光致抗蚀剂结构形成为具有柱状。

依据本发明的又一实施例，在上述第二回蚀刻制作工艺后，上述第二光致抗蚀剂结构具有柱状。

依据本发明的又一实施例，在上述第一回蚀刻制作工艺后，上述第三光致抗蚀剂结构具有柱状。

依据本发明的又一实施例，上述第一回蚀刻制作工艺的第一蚀刻速率大于上述第二回蚀刻制作工艺的第二蚀刻速率。

依据本发明的又一实施例，上述方法还包含进行第三回蚀刻制作工艺以回蚀刻上述第一光致抗蚀剂结构、上述第二光致抗蚀剂结构及上述第三光致抗蚀剂结构。