[发明专利]制造半导体显示装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体显示装置的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一半导体基板；

在该半导体基板上形成一第一光致抗蚀剂结构；

在该半导体基板上形成覆盖该第一光致抗蚀剂结构的一第二光致抗蚀剂结构，其中该第二光致抗蚀剂结构完全覆盖该第一光致抗蚀剂结构的一顶部表面；

在该半导体基板上形成覆盖该第一光致抗蚀剂结构及该第二光致抗蚀剂结构的一第三光致抗蚀剂结构；

进行一第一回蚀刻制作工艺以去除该第三光致抗蚀剂结构的位于该第二光致抗蚀剂结构的一顶部表面之上的一第一部分；以及

进行一第二回蚀刻制作工艺以去除该第二光致抗蚀剂结构的位于该第一光致抗蚀剂结构的该顶部表面之上的一部分及该第三光致抗蚀剂结构的位于该第一光致抗蚀剂结构的该顶部表面之上的一第二部分；

其中该第一光致抗蚀剂结构图案化为具有一阶梯状的连续布局图案；

该方法还包含：进行一第三回蚀刻制作工艺以回蚀刻该第一光致抗蚀剂结构、该第二光致抗蚀剂结构及该第三光致抗蚀剂结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中该半导体基板是由硅、锗、镓、砷或上述组合形成。

3.如权利要求1所述的方法，其中于该第二回蚀刻制作工艺后，该第二光致抗蚀剂结构具有一阶梯状的连续布局图案。

4.如权利要求3所述的方法，其中于该第一回蚀刻制作工艺后，该第三光致抗蚀剂结构具有一阶梯状的一连续布局图案。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一光致抗蚀剂结构形成为具有一柱状。

6.如权利要求5所述的方法，其中于该第二回蚀刻制作工艺后，该第二光致抗蚀剂结构具有一柱状。

7.如权利要求6所述的方法，其中于该第一回蚀刻制作工艺后，该第三光致抗蚀剂结构具有一柱状。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第一回蚀刻制作工艺的一第一蚀刻速率大于该第二回蚀刻制作工艺的一第二蚀刻速率。

9.如权利要求1所述的方法，其中该第一回蚀刻制作工艺的一第一蚀刻速率及该第二回蚀刻制作工艺的一第二蚀刻速率均大于该第三回蚀刻制作工艺的一第三蚀刻速率。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一光致抗蚀剂结构包含：

将该第一光致抗蚀剂结构暴露于通过一第一光掩模的光；以及

在该第一光致抗蚀剂结构上进行一第一显影制作工艺。

11.如权利要求1所述的方法，其中形成该第二光致抗蚀剂结构包含：

将该第二光致抗蚀剂结构暴露于通过一第二光掩模的光；以及

在该第二光致抗蚀剂结构上进行一第二显影制作工艺。

12.如权利要求1所述的方法，其中形成该第三光致抗蚀剂结构包含：

将该第三光致抗蚀剂结构暴露于通过一第三光掩模的光；以及

在该第三光致抗蚀剂结构上进行一第三显影制作工艺。

13.如权利要求1所述的方法，其中该第一光致抗蚀剂结构形成为一绿色滤光器，该第二光致抗蚀剂结构形成为一红色滤光器，且该第三光致抗蚀剂结构形成为一蓝色滤光器。