[发明专利]平均磨损方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置有效

专利信息
申请号: 201810352992.2 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN110389708B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 陈国荣 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 平均 磨损 方法 存储器 控制电路 单元 存储 装置
【说明书】:

发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的平均磨损方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元。此方法包括:记录该些物理抹除单元的每一个物理抹除单元的操作值;记录该些物理抹除单元的每一个物理抹除单元的使用时态值;以及根据该些物理抹除单元的操作值及该些物理抹除单元的使用时态值从该些物理抹除单元之中选择出第一物理抹除单元与第二物理抹除单元且将存储于第一物理抹除单元的有效数据复制到第二物理抹除单元中。

技术领域

本发明涉及一种可复写式非易失性存储器模块,尤其涉及一种平均磨损方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性,最适于可携式电子产品,例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器作为存储媒体的存储器存储装置。因此,近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

一般来说,为了延长可复写式非易失性存储器模块的寿命,会尽可能平均地使用可复写式非易失性存储器模块中的物理抹除单元。传统平均损耗(wear leveling)的方法是在可复写式非易失性存储器模块每执行一段固定的时间后,将数据区中的物理抹除单元与闲置区中的物理抹除单元交换,以期让在数据区中操作值较少的物理抹除单元可被交换至闲置区以供程序化(或写入)使用。

在执行平均损耗操作以将数据区中操作值较少的物理抹除单元交换至闲置区时,通常会从闲置区中选择具有较高操作值的物理抹除单元交换至数据区,但倘若此物理抹除单元存储的数据属于频繁更新的数据,则此物理抹除单元很可能在数据更新时再次被关联至闲置区。然而,在下一次需执行平均磨损操作时,已再被关联至闲置区的这个物理抹除单元因其具有操作值高于其他物理抹除单元,而再次被交换至数据区的机会将远比其他物理抹除单元高出许多,造成可复写式非易失性存储器的物理抹除单元的使用不平均。

如何有效地的衡量物理抹除单元的损耗程度以执行平均损耗操作,从而有效地延长可复写式非易失性存储器模块的寿命是此领域技术人员所致力的目标。

发明内容

本发明提供一种平均磨损方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。

本发明的一范例实施例提出一种用于可复写式非易失性存储器模块的平均磨损方法。可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元。此平均磨损方法包括:记录该些物理抹除单元的每一个物理抹除单元的操作值,其中该些操作值用以反应该些物理抹除单元的绝对或相对的抹除或程序化次数;记录该些物理抹除单元的每一个物理抹除单元的使用时态值,其中该些使用时态值用以反应该些物理抹除单元的绝对或相对的无操作时间长度;以及根据该些物理抹除单元的操作值及该些物理抹除单元的使用时态值从该些物理抹除单元之中选择出第一物理抹除单元与第二物理抹除单元且将存储于第一物理抹除单元的有效数据复制到第二物理抹除单元中。

在本发明的一范例实施例中,上述平均磨损方法还包括将该些物理抹除单元至少分组为第一区与第二区。

在本发明的一范例实施例中,上述平均磨损方法还包括:从第二区的物理抹除单元中选择第三物理抹除单元;将来自于主机系统的数据写入至第三物理抹除单元中;将第三物理抹除单元关联至第一区;以及将第三物理抹除单元的使用时态值设定为使用时态预设值并且计数第一区中其他物理抹除单元的使用时态值。

在本发明的一范例实施例中,上述在将第三物理抹除单元的使用时态值设定为使用时态预设值并且计数第一区中其他物理抹除单元的使用时态值的步骤中,第三物理抹除单元的使用时态值被设定为0,并且第一区中的其他物理抹除单元的使用时态值被增加1。

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