[发明专利]半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

第一位线；

第二位线，经由第一开关与上述第一位线连接；

电荷传输部，包含与上述第二位线连接并且保持来自储存有数据的存储部的读出电压的第一保持部；与上述第一位线连接并且保持由于与上述第一保持部之间的电荷传输而产生的电压的第二保持部；在上述第二位线上且设置在上述存储部与上述第一保持部之间的第二开关；以及在上述第二位线上且设置在上述存储部与上述第二开关之间的第三保持部，并且上述电荷传输部经由上述第一位线在上述第一保持部与上述第二保持部之间传输电荷；以及

比较部，对上述第二保持部所保持的电压和基准电压进行比较。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

上述电荷传输部切断上述第一开关使上述第一保持部保持上述读出电压。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

上述电荷传输部具备在传输上述电荷时使上述第一位线的电位维持恒定的电位控制部。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，

上述电荷传输部在传输上述电荷之前切断上述第二开关并使上述第二保持部充电到预先决定的电压，以便电荷从上述第二保持部向上述第一保持部传输。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

上述第二开关具备具有预先决定出的阈值的场效应晶体管，

上述电位控制部在进行上述电荷的传输时使上述第一位线的电位维持为从上述场效应晶体管的栅极电位减去上述阈值所得的目标电位。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

还包含设定上述栅极电位的设定部，

上述设定部设定上述栅极电位，以使上述目标电位位于上述数据为0时的上述读出电压的分布与上述数据为1时的上述读出电压的分布之间。

7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

上述存储部具备铁电体电容器。

8.一种半导体存储装置的读出方法，使用了半导体存储装置，上述半导体存储装置包括：第一位线；第二位线，经由第一开关与上述第一位线连接；电荷传输部，上述电荷传输部包含与上述第二位线连接并且保持来自储存有数据的存储部的读出电压的第一保持部；与上述第一位线连接并且保持由于与上述第一保持部之间的电荷传输而产生的电压的第二保持部；在上述第二位线上设置在上述存储部与上述第一保持部之间的第二开关；以及在上述第二位线上设置在上述存储部与上述第二开关之间的第三保持部，并且上述电荷传输部经由上述第一位线在上述第一保持部与上述第二保持部之间传输电荷；以及比较部，对上述第二保持部所保持的电压和基准电压进行比较，

通过上述电荷传输部，一边进行切断上述第一开关使上述第一保持部保持上述读出电压，并连接上述第一开关来将上述第一位线的电位维持恒定的控制，一边进行上述电荷的传输。