[发明专利]一种微纳晶体管与微纳晶体管制作方法

权利要求书

1.一种微纳晶体管，其特征在于，所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层，所述缓冲层铺设于所述衬底，所述外延层的端部与所述缓冲层面连接，所述势垒层铺设与所述外延层上，所述栅极介质层铺设于所述势垒层上，所述栅极金属层铺设于所述栅极介质层上，所述源极金属层与所述漏极金属层分别铺设于所述势垒层的靠近两端的位置，且制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同。

2.如权利要求1所述的微纳晶体管，其特征在于，所述外延层的截面的形状为三角形或梯形。

3.如权利要求2所述的微纳晶体管，其特征在于，所述微纳晶体管还包括掩膜层，所述掩膜层铺设于所述缓冲层上，且所述掩膜层设置有生长区，所述外延层沿所述生长区进行外延生长，以使除所述生长区外的所述外延层的形状为三角形或梯形。

4.如权利要求3所述的微纳晶体管，其特征在于，制作所述掩膜层的材料包括耐高温的绝缘材料。

5.如权利要求4所述的微纳晶体管，其特征在于，所述耐高温的绝缘材料包括SiO2，SiNx，AlO。

6.如权利要求1所述的微纳晶体管，其特征在于，制作所述缓冲层的材料包括高阻材料。

7.如权利要求6所述的微纳晶体管，其特征在于，制作所述缓冲层与所述外延层的材料均包括GaN。

8.如权利要求7所述的微纳晶体管，其特征在于，制作所述势垒层的材料均包括AlGaN、InAlN或AlN。

9.一种微纳晶体管制作方法，其特征在于，所述微纳晶体管制作方法包括：

在衬底上外延生长出缓冲层；

在所述缓冲层上再次外延生长出外延层，其中，制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同；

在所述外延层上继续生长势垒层；

在所述势垒层上制作栅极介质层；

在所述栅极介质层上制作栅极金属层；

在所述势垒层上的靠近两端的位置分别制作源极金属层与漏极金属层。

10.如权利要求9所述的微纳晶体管制作方法，其特征在于，在所述在所述缓冲层上再次外延生长出外延层的步骤之前，所述微纳晶体管制作方法还包括：

在所述缓冲层上制作掩膜层；

在所述掩膜层上刻蚀生长区，以使所述外延层沿所述生长区进行外延生长。