[发明专利]具有嵌入式层叠硅通孔管芯的衬底

权利要求书

1.一种用于半导体封装的装置，包括：

第一管芯，包括器件侧和背侧，以及管芯接合膜，所述管芯接合膜布置在所述第一管芯的背侧并且完全覆盖所述第一管芯的背侧、但不延伸超过所述第一管芯的背侧，其中所述管芯接合膜的表面是暴露表面；

TSV管芯，包括布置在其中的一个或多个硅通孔，所述TSV管芯包括器件侧和背侧，所述TSV管芯的背侧面向第一管芯的器件侧，第一管芯通过所述一个或多个硅通孔电耦合到所述TSV管芯，其中，第一管芯经由所述一个或多个硅通孔通过布置在第一管芯上的一个或多个相应的导电凸块以及通过布置在所述TSV管芯上的一个或多个接合焊盘电耦合到所述TSV管芯；以及

无芯衬底，其中第一管芯和所述TSV管芯二者都嵌入在所述无芯衬底中。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述无芯衬底包括密封层，并且其中第一管芯和所述TSV管芯嵌入在所述密封层中。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

布置在第一管芯与所述TSV管芯之间的环氧助焊剂材料层。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述无芯衬底不具有在第一管芯与所述TSV管芯之间的布线层。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，第一管芯的表面从所述无芯衬底的表面突出。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，第一管芯的表面不从所述无芯衬底的表面突出。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，第一管芯完全嵌入所述无芯衬底，并且其中所述TSV管芯被完全嵌入和包围在所述无芯衬底中。

8.一种用于半导体封装的工艺，包括：

利用管芯接合膜将第一管芯的背侧接合到面板；

将其中布置有一个或多个硅通孔的TSV管芯的背侧耦合在第一管芯的器件侧之上并且通过所述一个或多个硅通孔耦合到第一管芯的器件侧；

在所述TSV管芯的器件侧之上形成密封层，所述密封层包围第一管芯和所述TSV管芯；

在所述密封层中形成多个孔径，所述多个孔径从所述密封层的第一侧延伸到所述密封层的第二侧，并且所述多个孔径在所述第一管芯和所述TSV管芯的外周的外部；

在所述多个孔径中的对应孔径中形成多个导电通孔中的对应导电通孔；以及

在形成所述多个导电通孔之后，将所述面板从所述管芯接合膜移除。

9.如权利要求8所述的工艺，其特征在于，将第一管芯的背侧接合到所述面板包括：将第一管芯的背侧接合到布置在所述面板中的空腔的表面。

10.如权利要求8所述的工艺，其特征在于，利用所述管芯接合膜将第一管芯的背侧接合到所述面板包括：用基于环氧树脂的材料进行接合。

11.如权利要求8所述的工艺，其特征在于，将所述TSV管芯的背侧耦合到第一管芯的器件侧包括：通过布置在第一管芯的器件侧上的一个或多个导电凸块以及通过布置在所述TSV管芯的背侧上的一个或多个相应的接合焊盘进行耦合。

12.如权利要求11所述的工艺，其特征在于，将所述TSV管芯的背侧耦合到第一管芯的器件侧包括：利用环氧树脂助焊剂材料将所述TSV管芯的背侧接合到第一管芯的器件侧。

13.如权利要求12所述的工艺，其特征在于，所述环氧树脂助焊剂材料密封在布置在第一管芯的器件侧上的一个或多个导电凸块与布置在所述TSV管芯的背侧上的一个或多个相应的接合焊盘之间形成的接合部。

14.如权利要求11所述的工艺，其特征在于，通过布置在第一管芯的器件侧上的一个或多个导电凸块和布置在所述TSV管芯的背侧上的一个或多个相应的接合焊盘进行耦合包括使用热压接合技术。