[发明专利]基板处理设备、旋转式固定座及基板处理方法有效
申请号: | 201810325087.8 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN109727890B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 戴郡良;范纯祥;叶明熙;黄国彬 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 旋转 固定 方法 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
一旋转式固定座,包括:
多个承载件,耦接至一旋转式基座,所述承载件中的每一者包括一销以及一支撑部,该销能转动地连接该支撑部,该销具有一倾斜部,用以在该基板的一上缘及该销间提供一间隙,该间隙从该销的一下表面至该销的一上表面连续地增大,以及
一旋转驱动机构,用以转动该旋转式基座;以及
一处理流体供给设备,设置在该旋转式固定座上。
2.如权利要求1所述的基板处理设备,其中所述承载件中的每一者还包括一承载夹,设置在该销上,且是配置以定位在邻接该基板的该上缘的一夹持位置。
3.如权利要求1所述的基板处理设备,其中该支撑部用以支撑该基板的一下缘。
4.如权利要求1所述的基板处理设备,其中该处理流体供给设备是择自包括具有一或多个通道的一圆形板、一或多个喷嘴臂及其组合的群中。
5.如权利要求1所述的基板处理设备,其中该处理流体供给设备耦接至一异丙醇源。
6.如权利要求1所述的基板处理设备,其中该销的该倾斜部是介于45度及89度间。
7.如权利要求1所述的基板处理设备,其中该销的该倾斜部是介于50度及80度间。
8.一种旋转式固定座,用以处理一基板,包括:
多个承载件,耦接至一旋转式基座,所述承载件中的每一者包括一销以及一支撑部,该销能转动地连接该支撑部,该销具有一倾斜部,用以在该基板的一上缘及该销间提供一间隙,该间隙从该销的一下表面至该销的一上表面连续地增大;
一加热器;以及
一旋转机构,耦接至该旋转式基座。
9.如权利要求8所述的旋转式固定座,其中所述承载件中的每一者是配置以锁固一基板,使得该销的该倾斜部面朝该基板的一侧缘。
10.如权利要求8所述的旋转式固定座,其中该旋转式固定座包括耦接至该加热器的一升降机构。
11.如权利要求8所述的旋转式固定座,其中所述承载件中的每一者还包括一承载夹,设置在该销上,且被配置以定位在邻接该基板的该上缘的一夹持位置。
12.如权利要求8所述的旋转式固定座,其中该支撑部用以支撑该基板的一下缘。
13.如权利要求8所述的旋转式固定座,其中该销的该倾斜部是介于45度及89度间。
14.如权利要求8所述的旋转式固定座,其中该销的该倾斜部是介于50度及80度间。
15.一种基板处理方法,包括:
以多个承载件在一旋转式固定座上承载一基板,所述承载件中的每一者包括一销、一夹持部、以及一支撑部,该销附接到该支撑部,该销具有一倾斜部,用以在该基板的一上缘及该销的该倾斜部间提供一间隙,该间隙从该销的一下表面至该销的一上表面连续地增大,其中固定该基板的操作包括相对于该支撑部旋转该销,且该夹持部延伸到该基板的一上表面上方;
配送一第一处理流体至该基板上;以及
配送一第二处理流体至该基板上。
16.如权利要求15所述的基板处理方法,还包括加热该基板以从该基板蒸发所配送的该第二处理流体。
17.如权利要求16所述的基板处理方法,其中在配送该第一处理流体时旋转该基板。
18.如权利要求16所述的基板处理方法,其中在配送该第二处理流体时旋转该基板。
19.如权利要求15所述的基板处理方法,其中该第一处理流体包括去离子水,且其中该第二处理流体包括异丙醇。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造