[发明专利]半导体工艺的关键尺寸的监测结构及监测方法

权利要求书

1.一种半导体工艺的关键尺寸的监测结构，其特征在于，所述监测结构包括：

第一测试件，具有第一宽度、第一长度和第一电学参数；

第二测试件，包括至少一个测试条，所述测试条具有第二宽度和第二长度，所述第二测试件具有第二电学参数，其中，所述第二宽度远小于所述第一宽度、第一长度、第二长度，所述第二宽度的设计尺寸为所述半导体工艺的关键尺寸，根据所述第一测试件的第一电学参数、第一宽度、第一长度以及所述第二测试件的第二电学参数、第二长度来监测所述第二宽度的实际尺寸，通过将所述第二宽度的实际尺寸与所述第二宽度的设计尺寸相比来判断所述半导体工艺的关键尺寸是否发生变化。

2.根据权利要求1所述的监测结构，其特征在于，所述第一测试件的厚度与所述第二测试件的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的监测结构，其特征在于，所述第二测试件包括彼此相互平行设置的若干所述测试条，若干所述测试条相互间隔设置。

4.根据权利要求1所述的监测结构，其特征在于，所述第一测试件包括呈长方体结构的电阻条，所述第二测试件包括呈长方体结构的电阻条；

所述第一测试件和所述第二测试件的材料均包括经掺杂的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的监测结构，其特征在于，所述第一测试件包括：

基底；

第一栅极结构，位于所述基底上，以作为所述第一测试件的第一极板；

第一掺杂区，位于所述第一栅极结构两侧的所述基底中，所述第一掺杂区与所述第一栅极结构下方的所述基底一起作为所述第一测试件的第二极板，其中，所述第一极板和所述第二极板重叠部分具有所述第一宽度和所述第一长度；

第一栅极介电层，位于所述基底和所述第一栅极结构之间，作为所述第一测试件的介电质，以与所述第一极板和所述第二极板共同形成第一电容器。

6.根据权利要求5所述的监测结构，其特征在于，所述第二测试件包括：

第二栅极结构，位于所述基底上，以作为所述第二测试件的第一极板，其中，所述第二栅极结构包括至少一个所述测试条；

第二掺杂区，位于所述第二栅极结构两侧的所述基底中，所述第二掺杂区与所述第二栅极结构下方的所述基底一起作为所述第二测试件的第二极板，其中，所述测试条在所述第二栅极结构延伸方向上具有所述第二宽度，在所述测试条延伸方向上所述第一极板和所述第二极板重叠部分具有所述第二长度；

第二栅极介电层，位于所述基底和所述第二栅极结构之间，作为所述第二测试件的介电质，以与所述第二测试件的所述第一极板和所述第二极板共同形成第二电容器。

7.根据权利要求5所述的监测结构，其特征在于，所述第二测试件包括：

第二栅极结构，位于所述基底上方，以作为所述第二测试件的第一极板；

第二掺杂区，位于所述第二栅极结构下方的所述基底中，所述第二掺杂区与所述第二栅极结构下方的所述基底一起作为所述第二测试件的第二极板，其中，所述第二掺杂区包括至少一个所述测试条，所述测试条具有所述第二宽度，在所述测试条延伸方向上所述第一极板和所述第二极板重叠部分具有所述第二长度；

第二栅极介电层，位于所述基底和所述第二栅极结构之间，作为所述第二测试件的介电质，以与所述第二测试件的所述第一极板和第二极板共同形成第二电容器。

8.根据权利要求6所述的监测结构，其特征在于，所述第二栅极结构包括若干彼此相互间隔设置的所述测试条以及连接若干所述测试条的每一端的连接件。

9.根据权利要求7所述的监测结构，其特征在于，所述第二掺杂区包括若干彼此相互间隔设置的测试条以及连接所述测试条的每一端的连接件。

10.根据权利要求6或7所述的监测结构，其特征在于，所述第一测试件包括第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第一测试件的所述第一电容器的一侧；

所述第二测试件包括第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第二电容器的一侧。