[发明专利]一种阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基版上形成钝化层；

在所述钝化层上形成光刻胶，并通过曝光和显影工艺形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域的第一光刻胶图案；

以所述第一光刻胶图案作为掩膜对所述钝化层进行刻蚀以在所述钝化层中形成第一过孔；

对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶并减薄所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶以形成第二光刻胶图案，其中，所述光刻胶部分保留区域和所述光刻胶完全保留区域的表面均为绒面；

以所述第二光刻胶图案作为掩膜对所述钝化层进行刻蚀，以减薄所述光刻胶部分保留区域的所述钝化层，并消除所述光刻胶部分保留区域上形成的绒面；

所述以所述第二光刻胶图案作为掩膜对所述钝化层进行刻蚀，以减薄所述光刻部分保留区域的所述钝化层，并消除所述光刻胶部分保留区域上形成的绒面的步骤之后，包括：

在包括所述钝化层和所述光刻胶的所述衬底基板上沉积像素电极；

通过剥离液去除所述光刻胶以形成像素电极图案；

在所述以所述第二光刻胶图案作为掩膜对所述钝化层进行刻蚀，以减薄所述光刻部分保留区域的所述钝化层，并消除所述光刻胶部分保留区域上形成的绒面的步骤之后与所述在包括所述钝化层和所述光刻胶的所述衬底基板上沉积像素电极的步骤之前，包括：

对所述第二光刻胶图案进行灰化处理，以增加减薄后的所述光刻胶完全保留区域上的绒状分布。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述灰化处理为氧气等离子体灰化处理。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成钝化层的步骤之前，还包括：

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管图案。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用灰色调掩模板或半色调掩模板作为掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影以形成具有所述光刻胶完全保留区域、所述光刻胶部分保留区域以及所述光刻胶完全去除区域的所述第一光刻胶图案。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述灰色调掩模板或半色调掩模板的全透光区域对应所述第一光刻胶图案的所述光刻胶完全去除区域，所述灰色调掩模板或半色调掩模板的半透光区域对应所述第一光刻胶图案的所述光刻胶部分保留区域，所述灰色调掩模板或半色调掩模板的不透光区域对应所述第一光刻胶的所述光刻胶完全保留区域。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶图案的所述光刻胶完全去除区域对应所述钝化层上待形成所述第一过孔的区域；所述第一光刻胶图案的所述光刻胶部分保留区域对应所述钝化层上待减薄的区域。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述绒面上具有多个间隔设置的凸起峰。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为干刻蚀。