[发明专利]一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构

说明书

本发明公开了一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本发明将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本发明适用于电子器件技术领域。

技术领域

本发明属于电子器件技术领域，用于保护整流桥输出端的电路元件，具体地说是一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构。

背景技术

交流电网干扰、雷击和电力设备启停等因素产生的瞬态浪涌，是造成电子设备和线路损坏的重要原因。整流桥用于将输入的交流电转化为直流电然后输出，当输入的交流电存在浪涌且浪涌超过负载电路最大耐压而电路中又缺乏保护元件时，瞬间产生的能量会烧毁负载电路的器件，如图1（a）所示为电网正常交流输入波形，图1（b）所示为存在浪涌时的电网交流输入波形。

瞬态电压抑制二极管TVS是一种二极管形式的高效能保护器件，它能在电路产生浪涌时迅速吸收浪涌电流并且将电压钳制在被保护电压的耐压范围中，具有极快的响应速度和极强的浪涌吸收能力。

专利号为201621041504.9 的中国实用新型专利公开了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，如图2所示为其电路拓扑图，该专利通过在整流桥的输入端设置双向TVS二极管来吸收输入端的浪涌电流并将输入电压钳制在被保护电压的耐压范围内，然而该器件结构复杂、布局不够紧凑、厚度高、体积大、成本高，不利于电路小型化发展。

发明内容

本发明的目的是提供一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构，在传统整流桥的输出端设置单向TVS二极管，既可以保护负载电路元器件，又不增加传统整流桥的厚度，还能较现有技术中带双向TVS输入滤波的全波整流桥缩小体积、降低成本。

本发明为实现上述目的，所采用的技术方案如下：

一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，包括塑封体、第一～第四二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；

所述第一～第四二极管芯片技术指标相同；

所述单向TVS芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；

所述第一二极管芯片和第二二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架、第三引线框架；

所述第三二极管芯片和第四二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架、第三引线框架；

所述第一引线框架与第三引线框架作为输入端的交流引脚，第二引线框架与第四引线框架分别作为输出端的正、负极引脚。

作为限定：所述第一～第四引线框架处于同一平面内。

作为第二种限定：所述单向TVS芯片和第一～第四二极管芯片分别通过其底面设置的粘接料固定设于各自所在的引线框架上，所述粘接料为导电胶或软焊料。

作为第三种限定：所述第一引线框架与第三引线框架的载体全部封装于塑封体内，第二引线框架与第四引线框架载体的上半部封装于塑封体内、而载体下部分外露于塑封体。

作为第四种限定：第一～第四引线框架载体全部封装于塑封体的空腔内。

作为第五种限定：所述塑封体为环氧树脂构成的具有空腔的壳体。

本发明由于采用了上述的技术方案，其与现有技术相比，所取得的技术进步在于：