[发明专利]一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构在审

专利信息
申请号: 201810271390.4 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108389853A 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 洪吉忠;范世杰;范洋;李蛇宏;梁方彦;赵建明;刘继芝;洪继霖 申请(专利权)人: 电子科技大学;广东成利泰科技有限公司;成都智芯微科技有限公司;四川明泰电子科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/495;H01L23/31;H02M7/00
代理公司: 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 代理人: 张红卫;刘丽丽
地址: 611731 四川省成都市成华区*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 引线框架 二极管芯片 导线连接 顶面 全波整流桥 集成式 抗浪涌 电子器件 负极引脚 技术指标 输入引脚 塑封体 整流桥 紧凑 输出
【权利要求书】:

1.一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构,其特征在于:包括塑封体、第一~第四二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一~第四引线框架;

所述第一~第四二极管芯片技术指标相同;

所述单向TVS芯片顶面为P型,固定设于第二引线框架上,并通过导线连接第四引线框架;

所述第一二极管芯片和第二二极管芯片顶面均为P型,固定设于第二引线框架上,分别通过导线连接第一引线框架、第三引线框架;

所述第三二极管芯片和第四二极管芯片顶面均为N型,固定设于第四引线框架上,分别通过导线连接第一引线框架、第三引线框架;

所述第一引线框架与第三引线框架作为输入端的交流引脚,第二引线框架与第四引线框架分别作为输出端的正、负极引脚。

2.根据权利要求1所述的一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构,其特征在于:所述第一~第四引线框架处于同一平面内。

3.根据权利要求1或2所述的一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构,其特征在于:所述单向TVS芯片和第一~第四二极管芯片分别通过其底面设置的粘接料固定设于各自所在的引线框架上,所述粘接料为导电胶或软焊料。

4.根据权利要求1或2所述的一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构,其特征在于:所述第一引线框架与第三引线框架的载体全部封装于塑封体内,第二引线框架与第四引线框架载体的上半部封装于塑封体内、而载体下部分外露于塑封体。

5.根据权利要求1或2所述的一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构,其特征在于:第一~第四引线框架载体全部封装于塑封体的空腔内。

6.根据权利要求1或2所述的一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构,其特征在于:所述塑封体为环氧树脂构成的具有空腔的壳体。

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