[发明专利]一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201810256911.9 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108417675B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 林志伟;陈凯轩;卓祥景;吴奇隆;李俊贤 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 水平 结构 高压 发光二极管 及其 制作方法 | ||
本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法,所述高压发光二极管包括:第一部分和第二部分,其中,第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结,通过隧穿结作用,第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层,再通过第一透明导电层,实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接;而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接,同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接,解决了传统高压发光二极管在桥接过程中,存在高度差,而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
技术领域
本发明涉及半导体发光器件制作技术领域,尤其涉及一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法。
背景技术
随着发光二极管的快速发展,LED(Light Emitting Diode,发光二极管)的应用日新月异。采用高压结构的发光二极管成为一个发光二极管技术的重要发展分支。高压发光二极管可以提高发光亮度,降低发光二极管的成本,传统的高压发光二极管一般都采用将不同的发光结构的两个电极互相串联构成。
如图1所示,为现有技术中高压发光二极管的串联结构,所述高压发光二极管包括衬底01、外延层02、透明导电层03、P型电极04和N型电极05,其中,相邻的发光结构之间形成有沟槽06以及电性连接两个发光结构的桥接结构07。
但是,现有技术中的高压发光二极管中桥接结构处容易出现短路或断路情况,从而导致高压发光二极管的性能较差。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法,以解决现有技术中在桥接结构处容易形成开路或短路的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种具有水平桥接结构的高压发光二极管,包括:
支撑体;
位于所述支撑体一侧的反射镜;
位于所述反射镜背离所述支撑体表面的第一透明导电层,所述第一透明导电层包括第一部分和第二部分;
位于所述第二部分第一透明导电层的第一隧穿结,所述第一隧穿结背离所述支撑体的表面;
分别位于所述第一部分第一透明导电层和所述第一隧穿结表面,沿背离所述支撑体方向依次设置的第二型导电层、有源区和第一型导电层;
位于所述第一部分的第一型导电层上的第二透明导电层和第一电极;
位于所述第二部分的第一型导电层上,沿背离所述支撑体方向依次设置的第二隧穿结、第二透明导电层和第二电极。
本发明还对应提供了一种具有水平桥接结构的高压发光二极管制作方法,用于制作上面所述的具有水平桥接结构的高压发光二极管,所述具有水平桥接结构的高压发光二极管制作方法包括:
提供衬底;
在所述衬底的一个表面依次外延形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层和第一隧穿层;
蚀刻形成隔离槽,所述隔离槽至少贯穿所述第一隧穿结至所述第一型导电层;
填充所述隔离槽,形成隔离层,所述隔离层的两侧分别为第一部分和第二部分;
去除所述第一部分上的第一隧穿结,暴露出第二型导电层;
在所述第一部分的第二型导电层和所述第二部分上的第一隧穿结上形成第一透明导电层;
在所述第一透明导电层背离所述衬底的表面依次形成反射镜和支撑体;
去除所述衬底、所述非故意掺杂层和所述缓冲层;
在所述第一型导电层上形成第二隧穿结;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司,未经厦门乾照光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810256911.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。