[发明专利]一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种具有水平桥接结构的高压发光二极管，其特征在于，包括：

支撑体；

位于所述支撑体一侧的反射镜；

位于所述反射镜背离所述支撑体表面的第一透明导电层，所述第一透明导电层包括第一部分和第二部分；

位于所述第二部分第一透明导电层的第一隧穿结，所述第一隧穿结背离所述支撑体的表面；

分别位于所述第一部分第一透明导电层和所述第一隧穿结表面，沿背离所述支撑体方向依次设置的第二型导电层、有源区和第一型导电层；

位于所述第一部分的第一型导电层上的第二透明导电层和第一电极；

位于所述第二部分的第一型导电层上，沿背离所述支撑体方向依次设置的第二隧穿结、第二透明导电层和第二电极；

所述第一隧穿结包括第一子隧穿结和第二子隧穿结，所述第一子隧穿结位于所述第一透明导电层和所述第二子隧穿结之间，所述第二子隧穿结位于所述第一子隧穿结和所述第二型导电层之间；

所述第二隧穿结包括第三子隧穿结和第四子隧穿结，所述第三子隧穿结位于所述第一型导电层和所述第四子隧穿结之间，所述第四子隧穿结位于所述第三子隧穿结和所述第二透明导电层之间；

所述第一子隧穿结和所述第三子隧穿结为高掺杂浓度的第一型导电层材质；

所述第二子隧穿结和所述第四子隧穿结为高掺杂浓度的第二型导电层材质；

所述高掺杂浓度为杂质掺杂浓度高于10¹⁹/m³。

2.根据权利要求1所述的具有水平桥接结构的高压发光二极管，其特征在于，所述第一型导电层N型导电层；所述第二型导电层P型导电层。

3.一种具有水平桥接结构的高压发光二极管制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1所述的具有水平桥接结构的高压发光二极管，所述具有水平桥接结构的高压发光二极管制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的一个表面依次外延形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层和第一隧穿层；

蚀刻形成隔离槽，所述隔离槽至少贯穿所述第一隧穿结至所述第一型导电层；

填充所述隔离槽，形成隔离层，所述隔离层的两侧分别为第一部分和第二部分；

去除所述第一部分上的第一隧穿结，暴露出第二型导电层；

在所述第一部分的第二型导电层和所述第二部分上的第一隧穿结上形成第一透明导电层；

在所述第一透明导电层背离所述衬底的表面依次形成反射镜和支撑体；

去除所述衬底、所述非故意掺杂层和所述缓冲层；

在所述第一型导电层上形成第二隧穿结；

去除所述第一部分第一型导电层上的第二隧穿结，暴露出第一型导电层；

在所述第一部分的第一型导电层以及所述第二隧穿结表面形成第二透明导电层；

形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一部分的第二透明导电层上，所述第二电极位于所述第二部分的第二透明导电层上；

其中，所述第一隧穿结包括第一子隧穿结和第二子隧穿结，所述第一子隧穿结位于所述第一透明导电层和所述第二子隧穿结之间，所述第二子隧穿结位于所述第一子隧穿结和所述第二型导电层之间；

所述第二隧穿结包括第三子隧穿结和第四子隧穿结，所述第三子隧穿结位于所述第一型导电层和所述第四子隧穿结之间，所述第四子隧穿结位于所述第三子隧穿结和所述第二透明导电层之间；

所述第一子隧穿结和所述第三子隧穿结为高掺杂浓度的第一型导电层材质；

所述第二子隧穿结和所述第四子隧穿结为高掺杂浓度的第二型导电层材质；

所述高掺杂浓度为杂质掺杂浓度高于10¹⁹/m³。

4.根据权利要求3所述的具有水平桥接结构的高压发光二极管制作方法，其特征在于，所述蚀刻形成隔离槽包括：采用电感耦合等离子体蚀刻工艺形成隔离槽。