[发明专利]一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法

权利要求书

1.一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、清洗线型衬底，烘干备用；

步骤2、配制钙钛矿前驱液，在50～70℃下搅拌8～12h，得到均匀的钙钛矿前驱液；

步骤3、将步骤1清洗干净的线型衬底垂直浸入步骤2得到的钙钛矿前驱液中，然后将钙钛矿前驱液放置于加热搅拌台上，在搅拌的条件下加热至90～120℃；其中，搅拌台转动中心、磁力转子中心位于线型衬底所在直线上，搅拌速度为200～500rpm；

步骤4、在搅拌条件下，向步骤3的钙钛矿前驱液中滴加反溶剂，晶体析出，即可在线型衬底上形成钙钛矿薄膜；其中，滴加的反溶剂与钙钛矿前驱液的体积比为(1～2)：1。

2.根据权利要求1所述的有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2至步骤4在氮气气氛的手套箱中进行。

3.根据权利要求1所述的有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤1所述线型衬底为碳纤维。

4.根据权利要求1所述的有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤4所述反溶剂为氯苯、二氯苯或乙醚。