[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成图案层；

在所述图案层上沉积第一掩模层；

图案化所述第一掩模层以在其中形成一个或多个开口；

薄化所述第一掩模层；

加宽所述第一掩模层的所述一个或多个开口；以及

将所述第一掩模层的图案转移到所述图案层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在薄化所述第一掩模层之前，蚀刻所述图案层的顶表面以穿透所述图案层的所述顶表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述第一掩模层包括以第一功率各向异性地蚀刻所述第一掩模层，其中，薄化所述第一掩模层包括以第二功率各向异性地蚀刻所述第一掩模层，将所述第一掩模层的第一厚度减小至第二厚度，并且其中，所述第二功率大于所述第一功率。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，各向异性地蚀刻所述第一掩模层加宽了所述第一掩模层的所述一个或多个开口，从而将所述一个或多个开口的第一开口从第一宽度加宽至第二宽度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二厚度比所述第一厚度小25％至75％。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二宽度比所述第一宽度大25％至75％。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，经薄化的第一掩模层的厚度与经加宽的开口的宽度之比为1.5至4。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用所述图案层作为掩模来蚀刻目标层以在其中形成开口；和

将导电材料沉积在所述目标层的开口中，其中，所述导电材料被耦合到所述衬底中的器件的金属件。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过使用所述图案层作为掩模，来蚀刻所述衬底以从所述衬底形成半导体条。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成介电层，其中，所述衬底包含一个或多个有源器件；

在所述介电层上形成掩模层；

在所述掩模层上形成三层结构，所述三层结构包括第一材料构成的顶层、第二材料构成的中间层、以及第三材料构成的底层；

图案化所述顶层以形成第一组开口；

将所述顶层的图案转移到所述中间层以形成第二组开口；

将所述中间层的图案转移到所述底层以形成第三组开口；

在第一维度上增大所述第三组开口，同时在第二维度上减小所述第三组开口；以及

通过所述第三组开口蚀刻所述掩模层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在增大所述第三组开口之前，所述掩模层的顶表面被通过所述第三组开口蚀刻。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一材料和所述第三材料是有机的，并且其中，所述第二材料是无机的。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，在第一维度上增大所述第三组开口并且在第二维度上减小所述第三组开口之后，所述第二维度与所述第一维度之比在1.5和4之间。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括：

使用所述掩模层来蚀刻所述介电层，以在其中形成开口；和

将导电材料沉积在所述介电层的开口中，其中，所述导电材料被耦合到所述一个或多个有源器件中的至少一个有源器件。