[发明专利]一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品有效
申请号: | 201810168762.0 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108491103B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 罗志猛 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044;H01B13/00;C23F1/02;C23F1/16;C23F1/26 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;陈卫 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 ito 产品 制作方法 | ||
本发明公开了一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法包括:步骤1:提供一ITO基板:步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作第一图案,形成第一ITO功能层;步骤3:在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第二图案,形成第二ITO功能层;步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料,也能够防止ITO图案被划伤等问题,还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。
技术领域
本发明涉及ITO刻蚀领域,尤其涉及一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。
背景技术
电容式触摸屏(CTP)或LCD ON CELL常常需要在基板的正反两面上分别制作ITO功能层,在刻蚀其中一面的ITO图案时,需要将另一面的ITO图案保护起来,常用的保护方法是在ITO图案上丝印蓝膜、粘贴PET膜或沉积无机SiOx膜。对于前两种方法,虽然设备和制程都相对简单,但容易产生残胶、ITO图案被划伤等问题,且在蚀刻完双面ITO图案之后需要手动撕掉保护膜,因而不利于工艺的自动化和高世代产线的量产;对于后一种方法,虽然结构成熟、ITO引线保护的可靠性好,但制程难度大、且容易产生专利冲突。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料,也能够防止ITO图案被划伤等问题,还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种双面ITO产品的制作方法,包括:
步骤1:提供一ITO基板:
步骤2:对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作第一图案,形成第一ITO功能层;
步骤3:在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层;
步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第二图案,形成第二ITO功能层;
步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。
进一步地,步骤4中还包括:在所述第二ITO功能层上依次制作绝缘层和第三ITO层,采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀,制作第三图案,形成第三ITO功能层。
进一步地,所述第三ITO层的厚度小于500Å。
进一步地,在步骤2中,也采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀。
进一步地,所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%。
进一步地,所述Mo合金层的厚度为400-3000 Å。
进一步地,所述第一ITO层的厚度为800~2200Å,和/或,所述第二ITO层的厚度小于500Å。
进一步地,步骤5中,所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。
进一步地,所述ITO刻蚀夜为包括HNO3、HCL和H2O的混合液,其中,HCL的质量浓度为36~38%,HNO3的质量浓度为65~68%;所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃。
一种双面ITO产品,采用上述的双面ITO产品的制作方法获得。
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