[发明专利]一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品有效

专利信息
申请号: 201810168762.0 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN108491103B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 罗志猛 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044;H01B13/00;C23F1/02;C23F1/16;C23F1/26
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;陈卫
地址: 516600 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 双面 ito 产品 制作方法
【权利要求书】:

1.一种双面ITO产品的制作方法,其特征在于,包括:

步骤1:提供一ITO基板:

步骤2:采用ITO刻蚀液对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀,制作第一图案,形成第一ITO功能层,所述第一ITO层的厚度为800~2200Å;

步骤3:在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层,在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层,所述第二ITO层的厚度小于500Å,所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%,所述Mo合金层的厚度为400-3000 Å;

步骤4:采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀,制作第二图案,形成第二ITO功能层,所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃,所述ITO刻蚀液可使所述Mo合金层具有短暂的惰性,使所述Mo合金层自身的致密膜结构避免被所述ITO刻蚀液所破坏;

步骤5:采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层,所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液,所述ITO刻蚀夜为包括HNO3、HCL和H2O的混合液,其中,HCL的质量浓度为36~38%,HNO3的质量浓度为65~68%;

步骤4中还包括:在所述第二ITO功能层上依次制作绝缘层和第三ITO层,采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀,制作第三图案,形成第三ITO功能层,其中所述第三ITO层的厚度小于500Å。

2.一种双面ITO产品,其特征在于,采用权利要求1所述的双面ITO产品的制作方法获得。

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