[发明专利]高电压半导体装置

权利要求书

1.一种高电压半导体装置，包括：

半导体基底；

第一区，形成在半导体基底中，第一区包括：

N型第一半导体区；

N型漏极区，形成在N型第一半导体区中；

P型第一主体区；

N型源极区，形成在P型第一主体区中；和

栅电极，形成在N型源极区与N型漏极区之间；

第二区，形成在半导体基底中，第二区包括：

N型第二半导体区；

N型第二阱区，形成在N型第二半导体区中；

P型第二主体区，形成在N型第二半导体区中；以及

互连区，设置在第一区与第二区之间，互连区包括：

第一绝缘层，形成在N型第一半导体区与N型第二半导体区之间；

金属互连部，形成在第一绝缘层上；和

P型结隔离区，形成并设置在第一绝缘层下面，

其中，N型第二阱区与第一绝缘层接触。

2.如权利要求1所述的高电压半导体装置，其中，P型结隔离区具有与半导体基底相同的导电类型和比半导体基底的掺杂浓度高的掺杂浓度。

3.如权利要求2所述的高电压半导体装置，其中，P型结隔离区具有比半导体基底的浓度大两个数量级或两个数量级以上的浓度。

4.如权利要求1所述的高电压半导体装置，还包括：

N型第一掩埋掺杂层，形成在N型第一半导体区与半导体基底之间；以及

N型第二掩埋掺杂层，形成在N型第二半导体区与半导体基底之间。

5.如权利要求1所述的高电压半导体装置，其中，金属互连部将N型漏极区连接到P型第二主体区。

6.如权利要求1所述的高电压半导体装置，其中，第二区还包括：

P型第一高掺杂区和P型第二高掺杂区，二者形成在P型第二主体区中；

第二绝缘层，形成在P型第一高掺杂区与P型第二高掺杂区之间；

N型第三高掺杂区，形成在N型第二半导体区中；以及

第三绝缘层，形成在P型第二高掺杂区与N型第三高掺杂区之间。

7.如权利要求1所述的高电压半导体装置，其中，N型第二阱区设置在P型结隔离区与P型第二主体区之间。

8.如权利要求6所述的高电压半导体装置，其中，金属互连部将N型漏极区连接到P型第一高掺杂区。

9.如权利要求1所述的高电压半导体装置，其中，第一区还包括邻近于P型第一主体区形成的N型结隔离区。

10.如权利要求9所述的高电压半导体装置，其中，第一深沟槽接触第二深沟槽。

11.如权利要求9所述的高电压半导体装置，其中，第一深沟槽和第二深沟槽使用绝缘膜填充。

12.如权利要求9所述的高电压半导体装置，还包括：P型阱区，环绕第一深沟槽。