[发明专利]形成安装在基板上的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括利用钎焊材料安装在安装基板上的半导体芯片，所述方法包括以下步骤：

制备包括顶面和与所述顶面相反的背面的基板，所述顶面上具有外延层；

在所述基板的整个所述背面上沉积第一金属层，所述第一金属层含有镍(Ni)和在所述第一金属层的顶部中的金属材料，所述金属材料相对于所述钎焊材料表现出浸润性；

使所述第一金属层镀敷有第二金属层，从而使所述第一金属层的与划分所述半导体芯片的刻线对应的部分露出；

在所述第二金属层上以及所述刻线中的从所述第二金属层露出的所述第一金属层上沉积第三金属层，所述第三金属层含有镍(Ni)和钛(Ti)中的至少一者；

去除所述第三金属层，从而将所述第一金属层留在所述刻线中并将所述第二金属层留在除所述刻线以外的区域中；

沿所述刻线切割所述基板，从而形成所述半导体芯片；以及

利用所述钎焊材料将所述半导体芯片安装在所述安装基板上。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，镀敷所述背面的步骤包括：通过将所述第一金属层作为晶种金属而电镀出由金(Au)制成的所述第二金属层的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，沉积所述第一金属层的步骤包括：依次沉积镍(Ni)和铬(Cr)的合金以及所述合金上的金(Au)的步骤。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，沉积所述第一金属层的步骤包括：依次沉积50至200nm的厚度的所述合金和50至200nm的厚度的所述合金上的金的步骤。

5.根据权利要求3所述的方法，

其中，沉积所述第三金属层的步骤包括：沉积10至50nm的厚度的镍(Ni)和铬(Cr)的合金的步骤，并且

去除所述第三金属层的步骤包括：使用含碘(I)的刻蚀剂刻蚀所述第三金属层的步骤。

6.根据权利要求3所述的方法，

其中，沉积所述第三金属层的步骤包括：沉积10至50nm的厚度的钛(Ti)的步骤，并且

去除所述第三金属层的步骤包括：使用含氟(F)的活性气体刻蚀所述第三金属层的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，沉积所述第一金属层的步骤包括：依次沉积镍(Ni)和铬(Cr)的合金以及所述合金上的铜(Cu)的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中，沉积所述第一金属层的步骤包括：依次沉积50至200nm的厚度的所述合金和50至200nm的厚度的所述铜(Cu)的步骤。

9.根据权利要求7所述的方法，

其中，沉积所述第三金属层的步骤包括：沉积10至50nm的厚度的镍(Ni)和铬(Cr)的合金的步骤，并且

去除所述第三金属层的步骤包括：使用氩离子铣削所述第三金属层的步骤。

10.根据权利要求7所述的方法，

其中，沉积所述第三金属层的步骤包括：沉积10至50nm的厚度的钛(Ti)的步骤，并且

去除所述第三金属层的步骤包括：使用含氟(F)的活性气体刻蚀所述第三金属层的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中，安装所述半导体芯片的步骤包括：使用金-锡(AuSn)的共晶合金安装所述半导体芯片的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中，安装所述半导体芯片的步骤包括：使用导电树脂安装所述半导体芯片的步骤。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中，镀敷所述第二金属层的步骤包括：使所述第一金属层电镀有5至10μm的厚度的金(Au)的步骤。

14.根据权利要求1所述的方法，

还包括在沉积所述第一金属层之前的以下步骤：

研磨所述基板的背面直至厚度为100±10μm，以及

形成从所述基板的背面贯穿到所述基板的顶面的过孔，

其中，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层覆盖所述过孔的内侧，并且

去除所述第三金属层的步骤包括：将所述第三金属层留在所述过孔内和所述过孔周围的步骤。