[发明专利]三维NAND存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成牺牲层与间隔层交替层叠的堆叠结构，在所述堆叠结构中靠近所述基底的第一层牺牲层内形成多个凹槽，所述凹槽暴露出所述基底，且在所述凹槽内形成支撑部。

2.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述支撑部的方法包括：

在所述第一层牺牲层上形成一绝缘层，所述绝缘层填满所述凹槽并覆盖所述第一层牺牲层；

对所述绝缘层进行平坦化，至暴露出所述第一层牺牲层，在所述凹槽内形成支撑部。

3.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述支撑部的方法包括：在所述第一层牺牲层上形成一间隔材料层，所述间隔材料层填满所述凹槽并覆盖所述第一层牺牲层，在所述凹槽内形成支撑部；

对所述间隔材料层进行平坦化，形成第一层间隔层。

4.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述堆叠结构之前，所述三维NAND存储器的形成方法还包括：在所述基底上形成初始间隔层。

5.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述堆叠结构之后，所述三维NAND存储器的形成方法还包括：

形成多个沟道孔，所述沟道孔贯穿所述堆叠结构，并停止在所述基底中；

在所述沟道孔内形成沟道结构。

6.如权利要求5所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，位于所述第一层牺牲层内的多个凹槽均排列成两行，所述沟道孔位于两行所述凹槽之间，且所述沟道孔排列成两行，行的延伸方向为第一方向。

7.如权利要求6所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述凹槽与所述沟道孔在第二方向上相互错开，所述第二方向与所述第一方向垂直。

8.如权利要求7所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述凹槽与所述沟道孔的横截面的形状及尺寸一致。

9.如权利要求7所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述沟道结构之后，所述三维NAND存储器的形成方法还包括：

对所述堆叠结构及部分所述基底进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽位于所述凹槽远离所述沟道孔的一侧；

通过所述沟槽去除所述堆叠结构中的牺牲层；

在相邻所述间隔层之间填充金属层。

10.如权利要求9所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，填充所述金属层之后，所述三维NAND存储器的形成方法还包括：

对所述金属层进行回刻蚀，使得所述沟槽在所述金属层内的孔径大于在所述间隔层内的孔径。

11.如权利要求10所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述沟槽呈条状，其沿第一方向延伸。

12.如权利要求1～11中任一项所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述间隔层的材质为氧化硅，所述牺牲层的材质为氮化硅，所述支撑部的材质为氧化硅。

13.一种三维NAND存储器，其特征在于，包括：

基底、位于所述基底上的堆叠结构；

其中，所述堆叠结构包括交替层叠的金属层与间隔层，并且靠近所述基底的第一层金属层内形成有多个支撑部。

14.如权利要求13所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述三维NAND存储器还包括：贯穿所述堆叠结构及部分所述基底的沟道结构。