[发明专利]MIM电容的工艺方法

说明书

本发明公开了一种MIM电容的工艺方法，在基板上依次淀积好下极板、介质层以及上极板的材质；通过光刻胶定义出上极板然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶，再次通过光刻胶定义出介质层进行刻蚀，去除多余的介质层；去除光刻胶，形成MIM电容结构。本发明所述的MIM电容的工艺方法，有效地保护了上极板边缘的介质层，避免刻蚀带来的等离子损伤，提高了MIM电容的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体器件及制造领域，特别是指一种适用于大功率射频器件RFLDMOS的MIM电容的工艺方法。

背景技术

用于基站等的大功率射频器件RFLDMOS包括如下结构：源极、漏极、栅极、沟道和基极、及法拉第屏蔽环。由于应用需求，需要在RFLDMOS的栅极和漏极间增加负反馈电路，包括电阻和电容。如图4所示。

在通常的MIM电容工艺中，如图5所示，是传统MIM电容的结构示意图，所述MIM电容，即是金属-绝缘层-金属的结构的电容。从上至下依次为上基板（氮化钛材质），介质层（氮化硅材质），下极板（氮化钛材质），以及下极板铝铜。会用上极板做hardmask（硬掩膜），将上极板之外的介质层刻蚀掉。在刻蚀时会产生等离子损伤，伤害了介质层的质量，降低MIM电容的可靠性，导致电容可靠性失效。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种MIM电容的工艺方法。

为解决上述问题，本发明所述的MIM电容的工艺方法，包含：在基板上依次淀积好下极板、介质层以及上极板的材质；通过光刻胶定义出上极板然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶，再次通过光刻胶定义出介质层进行刻蚀，去除多余的介质层；去除光刻胶，形成MIM电容结构。

进一步地，所述基板的材质为铝铜，上下基板的材质均为氮化钛，介质层为氮化硅。

进一步地，所述刻蚀后的介质层要全覆盖上极板且面积大于上极板。

为解决上述问题，本发明提供一种MIM电容的工艺方法，包含：在基板上依次淀积介质层和上极板的材质，通过介质层掩膜版用光刻胶定义出介质层，刻蚀去除介质层区域以外的上极板，去除光刻胶；以上极板为硬掩膜，刻蚀掉上极板覆盖区域以外的介质层；再以上极板光刻掩膜版定义出上极板，进行上极板刻蚀，形成上极板；去除光刻胶，形成MIM电容结构。

进一步地，所述基板的材质为铝铜，上下基板的材质均为氮化钛，介质层为氮化硅。

为解决上述问题，本发明提供一种MIM电容的工艺方法，包含：在基板上依次淀积好下极板、介质层及上极板的材质，先通过上极板光刻掩膜版用光刻胶定义出上极板，然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶；再淀积一层氧化层，通过刻蚀在上极板侧方形成侧墙，利用侧墙和上极板作为硬掩膜刻蚀掉两者覆盖区以外的介质层材质，形成MIM电容。

进一步地，所述基板的材质为铝铜，上下基板的材质均为氮化钛，介质层为氮化硅。

本发明所述的MIM电容的工艺方法，有效地保护了上极板边缘的介质层，避免刻蚀带来的等离子损伤，提高了MIM电容的可靠性。

附图说明

图1-1～图1-4 是本发明技术方案一的工艺示意图。

图2-1～图2-5 是本发明技术方案二的工艺示意图。

图3-1～图3-4 是本发明技术方案三的工艺示意图。

图4 是具有负反馈电路的RFLDMOS器件的电路示意图。

图5 是MIM电容的结构示意图。

图6 是本发明技术方案一的工艺流程图。

附图标记说明