[发明专利]MIM电容的工艺方法在审
| 申请号： | 201810109062.4 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108417565A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶 介质层 上极板 刻蚀 去除 等离子损伤 下极板 有效地 淀积 基板 | ||
1.一种MIM电容的工艺方法，其特征在于：在基板上依次淀积好下极板、介质层以及上极板的材质；通过光刻胶定义出上极板然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶，再次通过光刻胶定义出介质层进行刻蚀，去除多余的介质层；去除光刻胶，形成MIM电容结构。
2.如权利要求1所述的MIM电容的工艺方法，其特征在于：所述基板的材质为铝铜，上下基板的材质均为氮化钛，介质层为氮化硅。
3.如权利要求1所述的MIM电容的工艺方法，其特征在于：所述刻蚀后的介质层要全覆盖上极板且面积大于上极板。
4.一种MIM电容的工艺方法，其特征在于：在基板上依次淀积介质层和上极板的材质，通过介质层掩膜版用光刻胶定义出介质层，刻蚀去除介质层区域以外的上极板，去除光刻胶；以上极板为硬掩膜，刻蚀掉上极板覆盖区域以外的介质层；再以上极板光刻掩膜版定义出上极板，进行上极板刻蚀，形成上极板；去除光刻胶，形成MIM电容结构。
5.如权利要求4所述的MIM电容的工艺方法，其特征在于：所述基板的材质为铝铜，上下基板的材质均为氮化钛，介质层为氮化硅。
6.一种MIM电容的工艺方法，其特征在于：在基板上依次淀积好下极板、介质层及上极板的材质，先通过上极板光刻掩膜版用光刻胶定义出上极板，然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶；再淀积一层氧化层，通过刻蚀在上极板侧方形成侧墙，利用侧墙和上极板作为硬掩膜刻蚀掉两者覆盖区以外的介质层材质，形成MIM电容。
7.如权利要求6所述的MIM电容的工艺方法，其特征在于：所述基板的材质为铝铜，上下基板的材质均为氮化钛，介质层为氮化硅。
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