[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可解决现有技术中使用的薄膜晶体管不能同时实现窄边框和低功耗的问题。该阵列基板划分为显示区域和非显示区域，包括位于所述显示区域的第一薄膜晶体管和位于所述非显示区域的第二薄膜晶体管；其中，所述第二薄膜晶体管的尺寸小于所述第一薄膜晶体管的尺寸，所述第一薄膜晶体管的漏电流小于所述第二薄膜晶体管的漏电流。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，显示装置无论是液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)，还是有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Display，简称OLED)都设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，薄膜晶体管的性能极大地影响着显示装置的性能。

在显示装置中，薄膜晶体管可以设置在显示区域(即AA区)，用于对像素的显示进行控制，也可以设置在非显示区域例如GOA(Gate On Array，栅极驱动电路)区域作为驱动电路的一部分。其中，薄膜晶体管中的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)和氧化物半导体薄膜晶体管由于具有高迁移率而得到了广泛的应用。

由于窄边框显示产品更美观，因而得到了越来越多消费者的青睐，而低温多晶硅薄膜晶体管的尺寸一般比其它类型的薄膜晶体管的尺寸小，因而为了实现窄边框，窄边框显示产品中的薄膜晶体管常使用低温多晶硅薄膜晶体管。然而，低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较大，当像素刷新频率降低时，画面保持能力降低，容易出现闪烁，因而需要提高像素刷新频率，而像素刷新频率提高会导致功耗较大。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可解决现有技术中使用的薄膜晶体管不能同时实现窄边框和低功耗的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，划分为显示区域和非显示区域，包括位于所述显示区域的第一薄膜晶体管和位于所述非显示区域的第二薄膜晶体管；其中，所述第二薄膜晶体管的尺寸小于所述第一薄膜晶体管的尺寸，所述第一薄膜晶体管的漏电流小于所述第二薄膜晶体管的漏电流。

优选的，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料为氧化物半导体；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料为多晶硅。

优选的，所述阵列基板包括依次设置的第二有源层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第一有源层以及第二导电层；所述第一导电层包括位于所述显示区域的第一栅极和位于所述非显示区域的第二栅极；所述第二导电层包括位于所述显示区域的第一源极、第一漏极和位于所述非显示区域的第二源极、第二漏极，所述第一有源层与所述第一源极和所述第一漏极均接触，所述第二有源层穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述第二源极和所述第二漏极电连接；其中，所述第一栅极、所述第二绝缘层、所述第一有源层以及所述第一源极、所述第一漏极构成所述第一薄膜晶体管；所述第二有源层、所述第一绝缘层、所述第二栅极、所述第二绝缘层以及所述第二源极、所述第二漏极构成所述第二薄膜晶体管。

进一步优选的，所述阵列基板还包括：设置在所述第一有源层表面上的刻蚀阻挡图案。

优选的，所述阵列基板还包括位于所述显示区域的触控信号线和触控电极，所述触控信号线与所述触控电极电连接，所述触控电极与公共电极共用。

进一步优选的，所述触控信号线与所述第一薄膜晶体管的第一源极、第一漏极同层同材料；所述阵列基板还包括设置在所述第一薄膜晶体管上的第三绝缘层，所述触控电极位于所述第三绝缘层上，且穿过所述第三绝缘层上的过孔与所述触控信号线电连接。