[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

可动部，其设置在所述基板之上；

接合框，其以将所述可动部包围的方式设置在所述基板之上；

盖部，其与所述接合框接合，具有凹部，通过使所述凹部与所述可动部相对而由该盖部将所述可动部之上的空间覆盖，在该盖部的内壁设置有凹凸；以及

防止膜，其形成于所述盖部的内壁，在该防止膜的表面具有凹凸，

由于所述防止膜的凹凸，所述防止膜的表面没有平坦部，

所述防止膜是为了阻碍所述空间的气体的吸附而设置的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述内壁的表面粗糙度与所述防止膜的表面粗糙度相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述盖部和所述接合框通过共价键而接合。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述防止膜由金属形成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在由所述凹部和所述基板包围的空间有非活性气体。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

由所述凹部和所述基板包围的空间是真空的。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

器件构造形成工序，将具有可动部、固定部和接合框的器件构造形成于基板之上，该接合框将所述可动部以及所述固定部包围；

防止膜形成工序，在具有凹部的盖部的所述凹部形成表面具有凹凸的防止膜；以及

阳极接合工序，以所述凹部、所述防止膜与所述可动部相对的方式将所述盖部和所述接合框通过阳极接合进行接合，

由于所述防止膜的凹凸，所述防止膜的表面没有平坦部，

所述防止膜是为了阻碍被所述盖部覆盖的所述可动部之上的空间的气体的吸附而设置的。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述凹部的表面粗糙度与所述防止膜的表面粗糙度相同。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述防止膜由金属形成。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

器件构造形成工序，将具有可动部、固定部和接合框的器件构造形成于基板之上，该接合框将所述可动部以及所述固定部包围；

盖部形成工序，通过喷砂加工在盖部形成凹部，然后对所述凹部实施湿式蚀刻，形成深度大于或等于10μm的凹部；以及

阳极接合工序，以所述凹部与所述可动部相对的方式将所述盖部和所述接合框通过阳极接合进行接合。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

器件构造形成工序，将具有可动部、固定部和接合框的器件构造形成于基板之上，该接合框将所述可动部以及所述固定部包围；

盖部形成工序，形成具有凹部的盖部；

加热工序，对所述盖部进行加热；以及

阳极接合工序，以与所述加热工序相同的气氛和温度，以所述凹部与所述可动部相对的方式将所述盖部和所述接合框通过阳极接合进行接合。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述阳极接合工序是在非活性气体气氛中进行的。

13.根据权利要求7～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述阳极接合工序是在真空气氛中进行的。