[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示器件

说明书

本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示器件。本发明提供的显示基板包括第二导电层，所述第二导电层包括形成于至少一个所述栅极区上表面且与该栅极区电性连接的极板区。极板区正投影与半导体层的导电区有重叠部分，处于该部分的极板区的边缘下方为导电区，其不正对半导体层的沟道区与导电区的交界面处。同时，极板区与栅极区电性连接，所以当施加栅极电压时，上述极板区的边缘为栅极电压引起的电场的边缘。因此可有效减少栅极电压的强电场边缘诱导沟道区与导电区的交界面处产生的热载流子数量，降低热载流子效应，提高显示器件性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示器件。

背景技术

随着显示技术的不断发展，各种显示器件被广泛应用至各手机、电脑、电视等领域。显示器件的显示基板包括半导体层、栅绝缘层、栅极层等，所述半导体层、栅绝缘层、栅极层共同形成驱动电路的各薄膜晶体管。显示基板制造过程中，将部分半导体层进行离子掺杂，形成源极区、漏极区以及导电沟道区。导电沟道区未进行离子掺杂，导电能力弱；源极区与漏极区进行重掺杂，导电能力强，属于导电区。弱导电能力的导电沟道区与强导电能力的源/漏极区的交界面处具有结结构，此处在强电场作用下容易产生热载流子。

现有技术在通常以栅极为掩膜，对半导体层进行离子掺杂。所以，现有显示基板的栅极边缘正对导电沟道区与源/漏极区的交界面处。而施加栅极电压时，栅极电压引起的电场边缘位于栅极边缘，此处电场相对较高，因此容易诱导导电沟道区与源/漏极区的交界面处产生热载流子。高能量的热载流子注入栅绝缘层，注入的过程中会产生界面态和陷落电荷，造成栅绝缘层的损伤。随着损伤程度的增加，显示器件的电流电压特性就会发生改变。当器件参数改变超过一定限度后，器件就会失效。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述问题，降低热载流子效应，提供一种显示基板及其制造方法。

本发明还提供一种显示器件。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种显示基板，包括：

基底；

半导体层，形成于所述基板上表面，包括沟道区与导电区；

栅绝缘层，形成于所述半导体层以及未被半导体层覆盖的基底上表面；

第一导电层，形成于所述栅绝缘层上表面，包括正投影与所述沟道区有重叠部分的若干栅极区；

第二导电层，所述第二导电层包括极板区；所述极板区形成于至少一个所述栅极区上表面且与该栅极区电性连接，其正投影与所述导电区有重叠部分。

进一步地，所述栅极区正投影边缘完全位于该栅极区上表面的极板区内部。

进一步地，所述第二导电层与所述第一导电层之间形成第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成第一通孔，所述极板区与所述栅极区通过所述第一通孔电性连接。

进一步地，所述第一导电层、栅绝缘层以及半导体层形成若干薄膜晶体管，所述若干薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述极板区形成于所述驱动晶体管的栅极区上表面。

进一步地，所述第一绝缘层以及栅绝缘层内形成第二通孔，所述极板区包括形成有效存储电容的电容区以及连接电容区的非电容区，所述非电容区通过所述第二通孔与所述导电区电性连接。

进一步地，所述第二导电层还包括与所述极板区相互分隔的非极板区，所述第一绝缘层以及栅绝缘层内形成第三通孔，所述非极板区通过所述第三通孔与所述导电区电性连接。

进一步地，所述第一导电层与所述第二导电层材料不同，所述极板区与所述栅极区直接接触。

进一步地，所述第一导电层材料为金属，所述第二导电层材料为氧化铟锡。