[发明专利]有源材质层及其制造方法、显示面板

说明书

本申请公开了一种有源材质层及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。所述有源材质层的制造方法包括：在基板上采用预设方式沉积非晶硅层，预设方式包括：等离子体增强化学气相沉积PECVD方式；在非晶硅层上采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，以得到包括非晶硅层和类单晶硅层的有源材质层。本申请解决了使用PECVD方式沉积的非晶硅内部含有较多硅的未饱和悬挂键或者存在位错空位，有源材质层的均匀性，有源层的性能较差的问题。本申请用于有源材质层的制造。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种有源材质层及其制造方法、显示面板。

背景技术

有源层为显示面板中不可或缺的部分，有源层通常由有源材质层经过图案化处理得到，有源材质层的材质通常为多晶硅。

相关技术中，在制造有源材质层时采用等离子体增强的化学气相沉积(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)法沉积非晶硅，然后经过准分子激光退火(英文：Excimer Laser Annealing；简称：ELA)使得该沉积的非晶硅变为多晶硅，从而得到有源材质层。

由于相关技术中，使用PECVD方式沉积的非晶硅内部含有较多硅的未饱和悬挂键或者存在位错空位，因此，得到的有源材质层的均匀性较差，有源层的性能较差。

发明内容

本申请提供了一种有源材质层及其制造方法、显示面板，可以解决使用PECVD方式沉积的非晶硅内部含有较多硅的未饱和悬挂键或者存在位错空位，有源材质层的均匀性较差，有源层的性能较差的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种有源材质层的制造方法，所述方法包括：

在基板上采用预设方式沉积非晶硅层，所述预设方式包括：等离子体增强化学气相沉积PECVD方式；

在所述非晶硅层上采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，以得到包括所述非晶硅层和所述类单晶硅层的有源材质层。

可选的，所述预设方式包括：所述PECVD方式和目标方式，所述目标方式包括去氢处理方式，所述在基板上采用预设方式沉积非晶硅层，包括：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上采用PECVD方式形成材质为非晶硅的初始层；

采用所述目标方式对所述初始层进行处理得到所述非晶硅层，所述非晶硅层中氢元素的含量小于或者等于2％。

可选的，所述目标方式还包括等离子体处理方式，所述采用所述目标方式对所述初始层进行处理得到所述非晶硅层，包括：

采用所述去氢处理方式对所述初始层进行处理；

采用所述等离子体处理方式对所述去氢处理方式后的所述初始层进行处理，以得到所述非晶硅层。

可选的，所述类单晶硅层包括多层类单晶硅原子层，所述采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，包括：

确定能够反应生成类单晶硅的n种前驱体，n为大于或等于1的正整数；

在所述非晶硅层上依次沉积所述n种前驱体，以使得所述n种前驱体反应得到一层类单晶硅原子层；

向所述一层类单晶硅原子层掺杂正三价离子；

多次重复上述沉积前驱体和掺杂的步骤。

可选的，所述方法还包括：

在沉积每种前驱体后使用惰性气体冲洗所述每种前驱体。

可选的，所述类单晶硅层的厚度为15纳米。