[发明专利]有源材质层及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种有源材质层的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上采用PECVD方式形成材质为非晶硅的初始层；

采用去氢处理方式对所述初始层进行处理；

采用等离子体处理方式对所述去氢处理方式后的所述初始层进行处理，以得到非晶硅层，所述非晶硅层中氢元素的含量小于或者等于2％；

在所述非晶硅层上采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，以得到包括所述非晶硅层和所述类单晶硅层的有源材质层，所述类单晶硅层的厚度小于所述非晶硅层的厚度；

所述类单晶硅层包括多层类单晶硅原子层，所述采用原子层沉积方式沉积类单晶硅层，包括：

确定能够反应生成类单晶硅的n种前驱体，n为大于或等于1的正整数；

在所述非晶硅层上依次沉积所述n种前驱体，以使得所述n种前驱体反应得到一层类单晶硅原子层，每沉积一次所述前驱体后进行一次正三价离子的掺杂，沉积所述类单晶硅层时的窗口温度范围为200～400摄氏度；

向所述一层类单晶硅原子层掺杂正三价离子；

多次重复上述沉积前驱体和掺杂的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在沉积每种前驱体后使用惰性气体冲洗所述每种前驱体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述类单晶硅层的厚度为15纳米。

4.一种有源材质层，其特征在于，所述有源材质层包括非晶硅层与类单晶硅层，所述类单晶硅层的厚度小于所述非晶硅层的厚度，所述非晶硅层采用预设方式形成，所述类单晶硅层采用原子层沉积方式形成，所述预设方式包括： PECVD方式和目标方式，所述目标方式包括去氢处理方式，所述非晶硅层为采用所述目标方式对材质为非晶硅的初始层进行处理得到的，所述初始层采用所述PECVD方式形成，所述非晶硅层中氢元素的含量小于2％，所述目标方式还包括等离子体处理方式，所述非晶硅层为依次采用所述去氢处理方式以及所述等离子体处理方式对所述初始层进行处理得到的；

所述类单晶硅层包括多层类单晶硅原子层，所述类单晶硅层的形成过程包括：

确定能够反应生成类单晶硅的n种前驱体，n为大于或等于1的正整数；

在所述非晶硅层上依次沉积所述n种前驱体，以使得所述n种前驱体反应得到一层类单晶硅原子层，每沉积一次所述前驱体后进行一次正三价离子的掺杂；

向所述一层类单晶硅原子层掺杂正三价离子；

多次重复上述沉积前驱体和掺杂的步骤。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由权利要求4所述的有源材质层进行图案化处理得到。