[发明专利]一种基座以及包括该基座的半导体处理设备

说明书

本发明的实施例提供一种基座以及包括该基座的半导体处理设备。该基座用于承载被加工工件，包括依次层叠设置的加热器、隔离层和射频电极，所述隔离层为绝缘材料，以将所述加热器和所述射频电极二者电位隔离。本发明的实施例的基座中加热器与射频电极电位隔离，减少了滤波器的使用。

技术领域

本发明的实施例涉及一种基座以及包括该基座的半导体处理设备。

背景技术

集成电路制造中的硬掩模(Hardmask)工艺中，需要同时使用射频(RF)和直流(DC)电源以及高温的工艺环境，从而刻蚀靶材并且使得其沉积到基片上。在28nm工艺中，一般使用低频(如13MHz)和低气压RF即可满足工艺需求。

目前随着集成电路制造产业的发展，14/16nm工艺也逐渐走上了历史的舞台，在硬掩模领域中，成膜需要更大的密度，因此，不得不引进甚高频(如60MHz)和高气压以及更高的工艺温度来满足工艺需求，而且需要在基座上加射频功率。随着硬件的复杂化，增加了许多需要解决的问题。

发明内容

根据本发明的实施例提供一种基座以及包括该基座的半导体处理设备，基座中的加热器与射频电极电位隔离，从而加热器不受射频电源的影响。另外，加热器以及与其连接的线路可以接地，减少了系统内滤波器的使用。

根据本发明的一个实施例提供一种基座，用于承载被加工工件，其中，所述基座包括依次层叠设置的加热器、隔离层和射频电极，所述隔离层为绝缘材料，以将所述加热器和所述射频电极二者电位隔离。

在一些示例中，所述加热器被配置为接地。

在一些示例中，所述加热器和所述隔离层之间设置有第一气体通道，所述第一气体通道与供气管路连通，所述供气管路用于向所述第一气体通道通入惰性气体；所述隔离层和所述射频电极之间设置有第二气体通道，所述隔离层中设有将所述第一气体通道和所述第二气体通道连通的连接通道。

在一些示例中，所述加热器与所述隔离层相对的面上均匀设置有呈同心圆分布的多条第一环形凹槽，以及将所述多条第一环形凹槽相互连通的第一径向凹槽；所述第一环形凹槽和所述第一径向凹槽形成所述第一气体通道。

在一些示例中，所述射频电极与所述隔离层相对的面上均匀设置有呈同心圆分布的多条第二环形凹槽，以及将所述多条第二环形凹槽相互连通的第二径向凹槽；所述第二环形凹槽和所述第二径向凹槽形成所述第二气体通道。

在一些示例中，所述加热器、所述隔离层和所述射频电极之间的接触面密封贴合，用于将所述惰性气体密封在所述第一气体通道和所述第二气体通道内。

在一些示例中，所述加热器内设置有第三气体通道，所述第三气体通道与供气管路连通，所述供气管路用于向所述第三气体通道通入惰性气体；所述射频电极内设置有第四气体通道，所述隔离层中设有连接通道，所述第三气体通道和所述第四气体通道通过所述连接通道相连通。

在一些示例中，所述加热器和所述隔离层之间以及所述隔离层和所述射频电极之间通过烧结或电镀方式连接。

根据本发明的另一个实施例提供一种半导体处理设备，包括腔室和射频源，其中，在所述腔室中设置有上述任一项所述的基座，所述射频源用于向所述基座中的所述射频电极提供射频功率。

在一些示例中，所述腔室为物理气相沉积腔室。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1是根据本发明实施例的一种基座的结构示意图；

图2是根据本发明实施例的基座中背吹通道的结构示意图；