[发明专利]半导体装置用接合线在审

申请号：	201780097315.4	申请日：	2017-12-28
公开（公告）号：	CN111418047A	公开（公告）日：	2020-07-14
发明（设计）人：	小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕	申请（专利权）人：	日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60
代理公司：	北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586	代理人：	张嵩;薛仑
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体装置接合
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种半导体装置用接合线，其具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，

所述接合线含有作为“第1合金元素群”的Ni、Rh、Ir中的1种以上以及Pd：0.05质量％以上中的一方或双方，在作为接合线中的含量来评价第1合金元素群含量，并基于Cu合金芯材中的Pd含量而换算为接合线中的含量从而评价Pd含量时，在所述评价的含量中，第1合金元素群与Pd的总计含量为0.03～2质量％；

所述接合线还包含总计为0.002～3质量％的Li、Sb、Fe、Cr、Co、Zn、Ca、Mg、Pt、Sc、Y中的1种以上，在含有Ca、Mg的情况下，接合线中的Ca、Mg的含量分别为0.011质量％以上，在含有Zn的情况下，接合线中的所述第1合金元素群和Zn的总计含量为2.1质量％以上。

2.如权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

在所述Pd被覆层上还具有包含Au和Pd的合金表皮层。

4.如权利要求3所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述包含Au和Pd的合金表皮层的厚度为0.050μm以下。

5.如权利要求1至4的任意一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述接合线还包含总计为0.03～3质量％的Al、Ga、Ge、In中的1种以上。

6.如权利要求1至5的任意一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

所述接合线还包含总计为0.1～1000质量ppm的As、Te、Sn、Bi、Se中的1种以上，其中，Sn≦10质量ppm、Bi≦1质量ppm。

7.如权利要求1至6的任意一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，