[发明专利]碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法有效

申请号：	201780084634.1	申请日：	2017-10-03
公开（公告）号：	CN110214362B	公开（公告）日：	2023-07-28
发明（设计）人：	和田圭司;堀勉;伊东洋典	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L21/205	分类号：	H01L21/205;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	陈海涛;王海川
地址：	日本大阪***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	碳化硅外延衬底制造半导体器件方法
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【说明书】：

假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中偏离角为θ°，在垂直于第二主面的方向上碳化硅层的厚度为Wμm，通过将平行于偏离方向的方向投影到所述第二主面上而获得的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。

技术领域

本发明涉及一种碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法。本发明要求于2017年1月31日提交的日本专利申请2017-015501号的优先权，通过参考将其全部内容并入本文中。

背景技术

日本特开2014-170891号公报(专利文献1)公开了一种在碳化硅单晶衬底上外延生长碳化硅层的方法。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本特开2014-170891号公报

发明内容

根据本发明的碳化硅外延衬底包含：具有第一主面的碳化硅单晶衬底；和在所述第一主面上的碳化硅层。所述碳化硅层包含与所述碳化硅单晶衬底接触的面、以及与所述面相反的第二主面。第二主面是相对于{0001}面在偏离方向上以偏离角倾斜的面。所述第二主面具有一个或多个缺陷。假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中所述偏离角为θ°，在垂直于所述第二主面的方向上所述碳化硅层的厚度为Wμm，通过将平行于偏离方向的方向投影到第二主面上而获得的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于偏离方向并且平行于第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm，则通过将第二缺陷的数量除以第一缺陷的数量和第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5，

附图说明

图1是显示根据本实施方案的碳化硅外延衬底的构造的示意性平面图。

图2是在图3中箭头的方向上沿II-II线截取的示意性截面图。

图3是显示根据本实施方案的碳化硅外延衬底的第二主面的第一部分的构造的示意性平面图。

图4是显示根据本实施方案的碳化硅外延衬底的第二主面的第二部分的构造的示意性平面图。

图5是在图4中箭头的方向上沿V-V线截取的示意性截面图。

图6是显示根据本实施方案的制造碳化硅外延衬底的设备的构造的示意性局部截面图。

图7是示意性显示根据本实施方案的制造碳化硅外延衬底的方法的流程图。

图8是显示根据本实施方案的制造碳化硅外延衬底的方法的第一步骤的示意性截面图。

图9是显示根据本实施方案的制造碳化硅外延衬底的方法的第二步骤的示意性截面图。

图10是示意性显示根据本实施方案的制造碳化硅半导体器件的方法的流程图。

图11是显示根据本实施方案的制造碳化硅半导体器件的方法的第一步骤的示意性截面图。