[发明专利]碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：

具有第一主面的碳化硅单晶衬底；和

在所述第一主面上的碳化硅层，

所述碳化硅层包含与所述碳化硅单晶衬底接触的面、以及与所述面相反的第二主面，

所述第二主面是相对于{0001}面在偏离方向上以偏离角倾斜的面，

所述第二主面具有一个或多个缺陷，并且

假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中所述偏离角为θ°，在垂直于所述第二主面的方向上所述碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将所述偏离方向投影到所述第二主面上而获得的方向平行的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm，则通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5，

其中所述第一缺陷源自螺纹螺旋位错，以及当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，所述第一缺陷具有三角形形状，

所述第二缺陷源自螺纹螺旋位错，以及当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，所述第二缺陷具有具有四个以上边的多边形形状。

2.根据权利要求1所述的碳化硅外延衬底，其中

所述碳化硅层的厚度为5μm以上且100μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延衬底，其中

所述偏离角大于0°且小于或等于8°。

4.根据权利要求1所述的碳化硅外延衬底，其中

通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.6。

5.根据权利要求4所述的碳化硅外延衬底，其中

通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.7。

6.根据权利要求5所述的碳化硅外延衬底，其中

通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.8。

7.根据权利要求6所述的碳化硅外延衬底，其中

通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.9。

8.一种制造碳化硅半导体器件的方法，所述方法包括：

准备根据权利要求1～7中任一项所述的碳化硅外延衬底；以及

对所述碳化硅外延衬底进行加工。