[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体衬底(1)具有彼此相对的表面以及背面。栅极配线(2)以及第1及第2表面电极(3、4)形成于半导体衬底(1)的表面。第1及第2表面电极(3、4)通过栅极配线(2)而彼此分割开。绝缘膜(7)覆盖栅极配线(2)。电极层(8)跨过栅极配线(2)而形成于绝缘膜(7)以及第1及第2表面电极(3、4)之上。背面电极(9)形成于半导体衬底(1)的背面。第1镀敷电极(10)形成于电极层(8)之上。第2镀敷电极(11)形成于背面电极(9)之上。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

公开了在半导体衬底的两面通过镀敷法而同时形成电极的半导体装置的制造方法(例如，参照专利文献1)。另外，为了实现均匀的动作，将半导体衬底的表面的电极通过栅极配线分切为梳齿状(例如，参照专利文献2)。另一方面，通常，半导体衬底的背面的电极呈与半导体衬底相同的形状。

专利文献1：日本特开2007-5368号公报

专利文献2：日本特开2003-92406号公报

发明内容

以往的半导体装置在半导体衬底的表面和背面，电极的形状不同。因此，如果通过湿式镀敷法而在半导体衬底的两面形成相同材质的镀敷电极，则在表面和背面，镀敷电极的膜应力产生差异。其结果，存在以下问题，即，半导体衬底以向表面侧凸出的方式翘曲，半导体装置的组装时的成品率下降，组装后的热阻不均匀等。

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于得到能够改善组装时的成品率和组装后的热阻的均匀性的半导体装置及其制造方法。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底，其具有彼此相对的表面以及背面；栅极配线，其形成于所述半导体衬底的所述表面；第1及第2表面电极，它们形成于所述半导体衬底的所述表面，通过所述栅极配线而彼此分割开；绝缘膜，其覆盖所述栅极配线；电极层，其跨过所述栅极配线而形成于所述绝缘膜以及所述第1及第2表面电极之上；第1镀敷电极，其形成于所述电极层之上；背面电极，其形成于所述半导体衬底的所述背面；以及第2镀敷电极，其形成于所述背面电极之上。

发明的效果

在本发明中，在通过栅极配线而彼此分割开的第1及第2表面电极之上形成有电极层，分别在电极层和背面电极之上形成有第1及第2镀敷电极。由此，半导体衬底的两面的电极形状接近，因此两面的电极的膜应力差减小，半导体衬底的翘曲减小。由此，能够改善半导体装置的组装时的成品率和组装后的热阻的均匀性。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图2是沿着图1的I-II的剖面图。

图3是表示使用了本发明的实施方式1涉及的半导体装置的半导体封装件的俯视图。

图4是沿着图3的I-II的剖面图。

图5是表示对比例涉及的半导体装置的俯视图。

图6是沿着图5的I-II的剖面图。

图7是表示本发明的实施方式2涉及的半导体装置的剖面图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式涉及的半导体装置及其制造方法进行说明。对相同或相应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。

实施方式1.

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。图2是沿着图1的I-II的剖面图。该半导体装置是IGBT或者MOSFET等电力用半导体装置。