[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780078209.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110088587B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 藤枝真理子;马渡和明;生驹龙太;平泽宪也;川野晋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01L19/06;H01L29/84 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其是具备形成于基板(1、12)的表面的衬垫(3)和将所述衬垫与外部的电路连接的接合线(5)的半导体装置，
所述半导体装置进一步具备树脂层(6)和传感器元件(2)，所述树脂层(6)至少将所述衬垫与所述接合线的连接部覆盖并且使所述基板中的所述衬垫的外侧的部分的至少一部分露出，所述传感器元件(2)形成于所述基板上且输出与所施加的物理量相应的信号，其中，
所述衬垫为用于读取所述传感器元件的输出信号的构件，
所述树脂层至少将所述衬垫与所述接合线的连接部覆盖并且使所述传感器元件的至少一部分露出，
以所述树脂层作为第1树脂层，至少在所述衬垫的上部具备形成于所述第1树脂层的上部的第2树脂层(7)，所述第1树脂层与所述第2树脂层相比液体及气体的透过量少，
树脂层为第1树脂层，第2树脂层为保护膜，
所述第2树脂层比所述第1树脂层容易变形，抑制除衬垫以外的部分的特性的变动，抑制传感器元件的特性的变动。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述树脂层仅形成于所述传感器元件的外侧。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述传感器元件具备因测定介质的压力而发生变形的膜片(14)，输出与所述膜片的变形相应的信号，
所述衬垫配置于形成有所述膜片的所述基板中的所述膜片的外侧的部分，
基于所述传感器元件所输出的信号来检测所述测定介质的压力。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2树脂层除了形成于所述衬垫的上部以外，还形成于所述传感器元件的上部。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2树脂层按照至少使所述传感器元件的一部分露出的方式形成。
6.一种半导体装置，其是具备形成于基板(1、12)的表面的衬垫(3)和将所述衬垫与外部的电路连接的接合线(5)的半导体装置，
所述半导体装置具备树脂层(6)，所述树脂层(6)至少将所述衬垫与所述接合线的连接部覆盖并且使所述基板中的所述衬垫的外侧的部分的至少一部分露出，其中，
以所述树脂层作为第1树脂层，至少在所述衬垫的上部具备形成于所述第1树脂层的上部的第2树脂层(7)，所述第1树脂层与所述第2树脂层相比液体及气体的透过量少，
所述半导体装置进一步具备形成于所述第1树脂层的上表面的由对苯二甲基系聚合物构成的保护膜(8)，所述第1树脂层与所述保护膜相比液体及气体的透过量少，
树脂层为第1树脂层，第2树脂层为保护膜，
所述第2树脂层比所述第1树脂层容易变形，抑制除衬垫以外的部分的特性的变动，抑制传感器元件的特性的变动。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第1树脂层由与所述第2树脂层的材料相比液体及气体的透过率低的材料构成。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第2树脂层由与所述第1树脂层的材料相比弹性模量低的材料构成。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第2树脂层按照将所述衬垫中的从所述接合线及所述第1树脂层露出的部分覆盖的方式形成。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第2树脂层按照将所述接合线覆盖的方式形成。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第2树脂层具备形成于所述第1树脂层的上部的第1层(71)和配置于所述第1层的上部的第2层(72)。
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