[发明专利]用于自对准图案化的方法

权利要求书

1.一种处理方法，包括以下步骤：

提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有从所述基板表面延伸进入所述基板的至少一个特征，所述特征具有底部和侧壁；

在所述基板表面上沉积第一膜，使得所述第一膜覆盖所述基板表面并且填充所述特征；

通过依序地氧化所述第一膜的顶部以在所述第一膜的顶部上形成氧化的第一膜并且蚀刻所述氧化的第一膜以移除所述氧化的第一膜，使所述基板表面化学平面化，重复依序的氧化和蚀刻以从所述基板表面移除所述第一膜而留下所述特征中的所述第一膜；和

使所述第一膜膨胀以使第一柱在所述特征中生长，所述第一柱从所述特征垂直于所述基板表面延伸。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜包括金属。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括钨。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中沉积所述第一膜和使所述基板表面化学平面化的步骤在相同的处理腔室中发生。

5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中使所述第一膜膨胀以使所述第一柱生长的步骤包括氧化所述第一膜或氮化所述第一膜的步骤中的一个或多个。

6.如权利要求5所述的方法，其中通过暴露于O₂、O₃、H₂O、H₂O₂、H₂O₄或N₂O中的一种或多种来使所述第一柱生长。

7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中移除所述第一膜以暴露所述基板表面的步骤大体上不包括机械平面化。

8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中蚀刻所述氧化的第一膜的步骤包括以下步骤：将所述第一膜暴露于金属卤化物化合物。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述金属卤化物化合物与所述第一膜具有相同的金属。

10.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中沉积所述第一膜的步骤包括原子层沉积工艺。

11.如权利要求10所述的方法，其中沉积所述第一膜的步骤包括依序暴露于金属卤化物前驱物和反应物以沉积金属膜。

12.如权利要求11所述的方法，其中使所述第一膜化学平面化的步骤包括将所述氧化的第一膜暴露于相同的金属卤化物前驱物。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述金属卤化物前驱物包括卤化钨。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述卤化钨包括WCl₅或WCl₆中的一种或多种。

15.一种处理方法，包括以下步骤：

提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有从所述基板表面延伸进入所述基板的至少一个特征，所述特征具有底部和侧壁；

通过依序地暴露于金属前驱物和反应物来在所述基板表面上沉积第一膜以形成第一膜，所述第一膜覆盖所述基板表面并且填充所述特征，所述第一膜包括钨金属并且所述金属前驱物包括卤化钨；

通过依序地氧化所述第一膜的顶部以在所述第一膜的顶部上形成氧化的第一膜并且通过暴露于与所述金属前驱物相同的卤化钨化合物来蚀刻所述氧化的第一膜以移除所述氧化的第一膜，使所述基板表面化学平面化，重复依序的氧化和蚀刻以从所述基板表面移除所述第一膜而留下在所述特征中的所述第一膜；和

通过氧化所述第一膜或氮化所述第一膜的步骤中的一个或多个，使所述第一膜膨胀，以使第一柱在所述特征中生长，所述第一柱从所述特征垂直于所述基板表面延伸，

其中沉积所述第一膜的步骤和使所述基板表面化学平面化的步骤在相同的处理腔室中发生。