[发明专利]等离子体原子层生长装置及原子层生长方法

说明书

本发明提供一种能够提高形成在基板上的膜的品质的等离子体原子层生长装置。该等离子体原子层生长装置通过使得在保持基板(1S)的下部电极(BE)和与下部电极(BE)对向配置的上部电极(UE)之间产生等离子体放电，从而在基板(1S)上以原子层为单位而形成膜，其中，具有防附着构件(CTM)，该防附着构件由在平面视角下与上部电极(UE)隔开间隔并包围着上部电极的绝缘体构成。

技术领域

本发明涉及一种原子层生长技术。

背景技术

日本特开2006-351655号公报(专利文献1)中记载了以下技术内容：在使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法或溅镀法(sputtering)的成膜装置中，在使用防附着板的同时，将堆积在腔室内壁的堆积物用非晶质膜覆盖。

日本特开2009-62579号公报(专利文献2)中记载了以下技术内容：对应于成膜室内多个侧面部来设置多个防附着板，且将防附着板分切成多个，在接近的防附着板彼此之间设置间隙。

日本特开2012-52221号公报(专利文献3)中记载了以下技术内容：基于溅镀空间的压力值，来控制流量比，所述流量比是导入溅镀空间内的气体流量与导入真空腔室的内壁和防附着板之间的空间中的气体流量的比值。

日本特开2014-133927号公报(专利文献4)中记载了以下技术内容：使形成有多个贯通孔的一对防附着板靠近处理室的内壁而配置。

日本特开2001-316797号公报(专利文献5)中记载了以下技术内容：将防附着构件安装在基板载体的底面，其中所述防附着构件用于防止在基板载体的表面上附着膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-351655号公报；

专利文献2：日本特开2009-62579号公报；

专利文献3：日本特开2012-52221号公报；

专利文献4：日本特开2014-133927号公报；

专利文献5：日本特开2001-316797号公报。

发明内容

发明要解决的问题

原子层生长法是通过将原料气体与反应气体交替地供给至基板上，从而在基板上以原子层为单位来形成膜的成膜方法。该原子层生长法由于是以原子层为单位来形成膜，故具有高低差覆盖性及膜厚控制性优异的优点。另一方面，在具体实现原子层生长法的原子层生长装置中，作为高低差覆盖性优异的优点的相反面，即使是在并不伴随成膜条件的变化来进行去除的情况困难的位置也容易形成膜。因此，在原子层生长装置中，在并不伴随成膜条件的变化来进行去除的情况困难的位置形成的膜的剥离成为异物产生的原因，由此存在形成于基板上的膜的质量变差的可能性。

其他的问题与新的特征能够从本说明书的记载及所附附图而明确。

用于解决问题的手段

一实施方式的原子层生长装置，通过使得在保持基板的第一电极和与第一电极相对向配置的第二电极之间产生等离子体放电，从而在基板上以原子层为单位形成膜，其特征在于，具有防附着构件，该防附着构件由在平面视角下与第二电极隔开间隔并包围着第二电极的绝缘体构成。

发明的效果

根据一实施方式的原子层生长装置，能够提高形成在基板上的膜的品质。

附图说明

图1是示意性地示出实施方式的等离子体原子层生长装置的整体构成的剖视图。