[发明专利]具有等离子体限制特征的基板支撑基座

说明书

提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。

背景

技术领域

本文中所公开的实施例总体上涉及具有等离子体限制特征的基板支撑基座。

背景技术

半导体处理涉及能够在基板上产生微小集成电路的许多不同的化学及物理工艺。构成集成电路的材料层是由化学气相沉积、物理气相沉积、外延成长等等所产生的。使用光刻胶掩模及湿或干蚀刻技术来图案化材料层的某些部分。用以形成集成电路的基板可以是硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其他适当材料。

在制造集成电路时，等离子体工艺通常用于沉积或蚀刻各种材料层。等离子体处理相对于热处理提供了许多优点。例如，与类似的热工艺所能实现的相比，等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)允许在较低温下且以较高的沉积速率执行沉积工艺。因此，PECVD对于具有严格热预算的集成电路制造而言(例如对于非常大规模或超大规模集成电路(VLSI或ULSI)设备制造而言)是有利的。

用在这些工艺中的处理腔室一般包括安置于其中以在处理期间支撑基板的基板支撑件或基座，以及具有用于将工艺气体引进处理腔室的面板的喷淋头。等离子体由两个RF电极所产生的，其中面板用作顶电极。在某些工艺中，基座可包括嵌入式加热器及嵌入式金属网以充当底电极。工艺气体流过喷淋头，且等离子体在两个电极之间产生。在传统的系统中，RF电流穿过等离子体从喷淋头顶电极流至加热器底电极。RF电流将经过基座中的镍RF杆，且通过基座结构在内腔室壁中返回。长的RF路径导致RF功率损失。然而，更重要的是，长的镍RF杆具有高电感，这造成高的底电极电势，该高的底电极电势进而可能促进底腔室点燃(即寄生等离子体产生)。

因此，存在等离子体处理腔室中的改良的RF返回路径的需要。

发明内容

提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置穿过该柱且耦合至该顶电极。

附图说明

为了可详细理解本公开的上述特征的方式，可参照实施例获得上文所简要概括的更具体的描述，实施例中的一些绘示于所附附图中。然而，要注意的是，所附附图仅绘示典型的实施例，且因此不要被视为其范围的限制，因为本文中所公开的实施例可接纳其他同等有效的实施例。

图1为等离子体系统的一个实施例的部分横截面图。

图2为多区加热器的一个实施例的示意俯视图，该多区加热器可用作图1的等离子体系统中的基座。

图3为接地件的一个实施例的示意侧视图，该接地件可用在图1的等离子体系统中的基座中。

图4A为多区加热器的一个实施例的横截面示意图，该多区加热器可用在图1的等离子体系统中。

图4B为多区加热器的第二实施例的横截面示意图，该多区加热器可用在图1的等离子体系统中。

图5为多区加热器的一个实施例的横截面示意图，该多区加热器具有用于具有顶部RF馈送的等离子体系统的缩短的RF杆。

图6为具有顶部RF馈送路径的多区加热器的一个实施例的横截面示意图。

图7为具有底部RF馈送路径的多区加热器的一个实施例的横截面示意图。