[发明专利]基板处理装置、基板处理方法及程序记录介质在审
申请号: | 201780014125.1 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN108701607A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 冲田展彬;筱原敬 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G03F1/82 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 基板保持 旋转机构 主面 基板处理装置 刷子 邻接区域 喷嘴 处理液 抵接 喷出 程序记录介质 抵接区域 基板处理 水平姿势 旋转轴线 邻接 铅垂 清洗 | ||
基板处理装置(1),其中,包含:基板保持旋转机构(41),其将基板(W)保持为水平姿势,且使上述基板(W)围绕通过上述基板(W)的主面的铅垂的旋转轴线(AX)旋转;刷子(30),其抵接于由上述基板保持旋转机构保持的上述基板(W)的上述主面并对上述基板(W)的上述主面进行清洗;第一喷嘴(10),其向由上述基板保持旋转机构保持的上述基板(W)的上述主面喷出处理液;以及第二喷嘴(20),其向由上述基板保持旋转机构保持的上述基板(W)的上述主面中的下游邻接区域(DR)喷出处理液,上述下游邻接区域(DR)从上述基板(W)的旋转方向的下游侧邻接于上述刷子(30)抵接于上述基板(W)的上述主面的抵接区域(AR)。
技术领域
本发明涉及一种用于对处理对象的基板使用处理液实施处理的基板处理装置、基板处理方法及程序记录介质。处理对象的基板包含半导体晶圆、液晶显示设备用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、光掩模用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板等各种基板。
背景技术
基板的处理步骤中包括对基板的主面进行清洗的步骤。在对基板的主面进行清洗的步骤中,例如通过喷出处理液的喷嘴向基板的主面供给处理液。在仅通过处理液的供给无法充分清洗基板的主面的情形下,进行通过刷子对基板的主面进行清洗的刷子清洗步骤。
根据经验已知:在刷子清洗步骤中,通过刷子对基板的主面的污垢等施加的作用与处理液对基板的主面的污垢等施加的作用相互配合,有效地清洗基板的主面。
刷子清洗步骤可在单张型清洗装置中实施。在单张型清洗装置中,在向以水平姿势旋转的基板的主面供给处理液的状态下,通过刷子清洗该基板的主面。执行此种处理的结构的基板处理装置的一例揭示于专利文献1的图12。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-123800号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在刷子清洗步骤中存在如下情形:在基板的主面中的刷子周围,形成未被处理液覆盖的区域、或处理液的液膜的膜厚变小的区域(以下称为“膜厚降低区域”)。
在刷子的周围形成有膜厚降低区域的情形下,存在通过刷子去除的污垢未被排出至基板的外侧而滞留于该膜厚降低区域内的情形。另外,在刷子的周围形成有膜厚降低区域的情形下,会产生利用刷子去除的微粒等再次附着于基板的主面等的问题。
尤其是从基板的旋转方向的上游侧的区域流出的处理液由刷子的上游侧的周缘阻挡。因此,在基板的主面中的较刷子更靠下游侧的区域中,处理液的液膜的膜厚变小,结果容易产生上述问题。
鉴于以上情况,处理液的液膜在基板的主面、尤其在刷子周围,必须保持可抑制膜厚降低区域的形成的程度的规定的厚度。
因此,本发明的一个目的在于:在较基板的主面的刷子更靠基板的旋转方向的下游侧的区域,抑制处理液的断液或处理液的液膜的膜厚的降低。
解决问题的技术方案
本发明提供一种基板处理装置1,其中,包括:基板保持旋转机构(41),其将基板(W)保持为水平姿势,且使上述基板W围绕通过上述基板W的主面的铅垂的旋转轴线AX旋转;第一喷嘴10,其向由上述基板保持旋转机构保持的上述基板W的上述主面喷出处理液;刷子30,其抵接于由上述基板保持旋转机构保持的上述基板W的上述主面并对上述基板W的上述主面进行清洗;以及第二喷嘴20,其向由上述基板保持旋转机构保持的上述基板W的上述主面中的下游邻接区域DR喷出处理液,上述下游邻接区域DR从上述基板W的旋转方向的下游侧邻接于上述刷子30抵接于上述基板W的上述主面的抵接区域AR。
另外,括号内的英文数字表示下述实施方式中的对应结构组件等,并非意在将专利权利要求书限定于实施方式。以下均与本项相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造