[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

说明书

作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)包括：n型晶体硅晶片(11)；形成于n型晶体硅晶片(11)的受光面上的、以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层(12)；形成于第1钝化层(12)上的n型晶体硅层(13)；形成于n型晶体硅晶片(11)的背面上的第2钝化层(16)；和形成于第2钝化层(16)上的p型非晶硅层(17)。

技术领域

本发明涉及太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法。

背景技术

现有技术中已知有在晶体硅晶片的两面形成非晶硅层的太阳能单电池。例如，在专利文献1中公开了一种太阳能单电池，该单电池在晶体硅晶片的受光面上形成n型非晶硅层，在该晶片的背面上形成p型非晶硅层。专利文献1中所公开的太阳能单电池包括形成于各个非晶硅层上的透明导电层和集电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-237452号公报

发明内容

发明要解决的课题

在太阳能单电池中，特别是通过增加从受光面侧入射到硅晶片的光量从而提高单电池(cell)的输出特性是一个重要的课题。在包括专利文献1的现有技术中，在集电极的形状等方面进行了改进，增加了从受光面侧的入射光量，但需要进一步进行改善。

用于解决课题的方法

本发明的太阳能单电池，其特征在于，包括：晶体硅晶片；形成在晶体硅晶片的受光面上的、以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层；形成在第1钝化层上的n型晶体硅层；形成在晶体硅晶片的背面上的第2钝化层；和形成在第2钝化层上的p型非晶硅层。

本发明的太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：在晶体硅晶片的一个面上，形成以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层的工序；在第1钝化层上形成n型晶体硅层的工序；在形成了n型晶体硅层的晶体硅晶片的另一个面上形成第2钝化层的工序；和在第2钝化层上形成p型非晶硅层的工序。

发明效果

根据本发明的一个方式的太阳能单电池，入射到晶体硅晶片的光量增加，能够提高输出特性。

附图说明

图1是作为实施方式的一例的太阳能单电池的截面图。

图2是表示作为实施方式的一例的太阳能单电池的制造工序的流程图。

图3是作为实施方式的另一例的太阳能单电池的截面图。

图4是表示作为实施方式的另一例的太阳能单电池的制造工序的流程图。

图5是作为实施方式的另一例的太阳能单电池的截面图。

具体实施方式

本发明的太阳能单电池包括形成于晶体硅晶片的受光面侧的n型晶体硅层，所以与在受光面侧设置非晶硅层的现有单电池相比，入射到晶片的光量多，能够获得高输出特性。而且，在晶体硅晶片的背面侧形成有用低温工艺成膜的p型非晶硅层，所以能够控制制造成本，提高输出特性。

在晶体硅晶片的背面侧形成了p型晶体硅层的情况下，通过硼(B)等p型掺杂剂的扩散，晶片中的氧和硼形成复合缺陷，有可能导致载流子寿命降低。作为抑制形成该复合缺陷的方法，可以考虑使用低氧浓度的晶片，或者在1000℃以上的温度下对晶片实施热处理，但在这种情况下，制造成本会大幅上升。即，在晶体硅晶片的受光面侧设置n型晶体硅层、在背面侧设置p型晶体硅层的本发明的太阳能单电池，制造成本低，且具有高输出特性。另外，色感的均匀性高，具有良好的外观，耐久性也很好。