[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：

晶体硅晶片；

形成在所述晶体硅晶片的受光面上的、以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层；

形成在所述第1钝化层上的n型晶体硅层；

形成在所述晶体硅晶片的背面上的第2钝化层；和

形成在所述第2钝化层上的p型非晶硅层。

2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第2钝化层实质上包含本征的非晶硅、或者掺杂剂浓度比所述p型非晶硅层低的非晶硅，且比所述第1钝化层厚。

3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述p型非晶硅层的结晶率比所述n型晶体硅层的结晶率低，

所述n型晶体硅层的结晶率比所述晶体硅晶片的结晶率低。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述晶体硅晶片是n型晶体硅晶片，并且在与所述第1钝化层邻接的界面及其附近具有被掺杂成n型且掺杂剂浓度比其他区域高的n⁺层。

5.如权利要求4所述的太阳能单电池，其特征在于：

在所述晶体硅晶片中，与所述第1钝化层邻接的界面及其附近的杂质浓度比与所述第2钝化层邻接的界面及其附近的杂质浓度高。

6.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第1钝化层的主要成分是氧化硅，且氧浓度比所述第2钝化层高。

7.如权利要求6所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第1钝化层的氧浓度是1.0×10²¹atoms/cm³以上。

8.如权利要求7所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述n型晶体硅层的氢浓度比所述p型非晶硅层的氢浓度低。

9.如权利要求8所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述n型晶体硅层的氢浓度比所述第2钝化层的氢浓度低。

10.如权利要求1～9中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第1钝化层的n型掺杂剂的浓度比所述第2钝化层的p型掺杂剂的浓度高。

11.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于，还包括：

形成在所述n型晶体硅层上的、包含金属氧化物的第1透明导电层；

形成在所述第1透明导电层上的、包含细线状的多个副栅线部的第1集电极；

形成在所述p型非晶硅层上的、包含金属氧化物的第2透明导电层；和

形成在所述第2透明导电层上的第2集电极。

12.如权利要求11所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述n型晶体硅层的折射率是所述第1透明导电层的折射率的2.5倍以上。

13.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于，还包括：

形成在所述n型晶体硅层上的、以绝缘物为主要成分的保护层；

形成在所述p型非晶硅层上的、包含金属氧化物的第2透明导电层；和

形成在所述第2透明导电层上的集电极。

14.一种太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：

在晶体硅晶片的一个面上，形成以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层的工序；

在所述第1钝化层上形成n型晶体硅层的工序；

在形成了所述n型晶体硅层的所述晶体硅晶片的另一个面上形成第2钝化层的工序；和

在所述第2钝化层上形成p型非晶硅层的工序。